商品の詳細:
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VCBOのコレクター基盤の電圧: | -80 V | 製品名: | 半導体の三極管 |
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ハイライト: | 高周波トランジスター,力mosfetのトランジスター |
SOT-23はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターFMMT591トランジスター(PNP)を
低い同等のオン抵抗
最高の評価(通知がなければTa=25℃)
記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
VCBO | コレクター基盤の電圧 | -80 | V |
VCEO | コレクター エミッターの電圧 | -60 | V |
VEBO | エミッター基盤の電圧 | -5 | V |
IC | コレクター流れ | -1 | A |
ICM | ピーク脈拍の流れ | -2 | A |
PC | コレクターの電力損失 | 250 | MW |
RΘJA | 接続点からの包囲されたへの熱抵抗 | 500 | ℃/W |
Tj | 接合部温度 | 150 | ℃ |
Tstg | 保管温度 | -55~+150 | ℃ |
電気特徴(Ta=25℃他に特に規定がなければ)
変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
コレクター基盤の絶縁破壊電圧 | V (BR) CBO | IC=-100μA、すなわち=0 | -80 | V | ||
コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | V (BR) CEO1 | IC=-10mA、IB=0 | -60 | V | ||
エミッター基盤の絶縁破壊電圧 | V (BR) EBO | すなわち=-100ΜA、IC=0 | -5 | V | ||
コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB=-60V、すなわち=0 | -0.1 | μA | ||
エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB=-4V、IC=0 | -0.1 | μA | ||
DCの現在の利益 | hFE (1) | VCE=-5V、IC=-1mA | 100 | |||
hFE (2) 1 | VCE=-5V、IC=-500mA | 100 | 300 | |||
hFE (3) 1 | VCE=-5V、IC=-1A | 80 | ||||
hFE (4) 1 | VCE=-5V、IC=-2A | 15 | ||||
コレクター エミッターの飽和電圧 | VCE (坐る) 1 1 | IC=-500mA、IB=-50mA | -0.3 | V | ||
VCE (坐る) 2 1 | IC=-1A、IB=-100mA | -0.6 | V | |||
基盤エミッターの飽和電圧 | VBE (坐る) 1 | IC=-1A、IB=-100mA | -1.2 | V | ||
基盤エミッターの電圧 | 1 VBE | VCE=-5V、IC=-1A | -1 | V | ||
転移の頻度 | fT | VCE=-10V、IC=-50mA、f=100MHz | 150 | MHz | ||
コレクターの出力キャパシタンス | 穂軸 | VCB=-10V、f=1MHz | 10 | pF |
、脈拍width=300μs脈打った条件の下で測定されるの義務cycle≤2%。
典型的なCharacterisitics
パッケージの輪郭次元
記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
分 | 最高 | 分 | 最高 | |
A | 0.900 | 1.150 | 0.035 | 0.045 |
A1 | 0.000 | 0.100 | 0.000 | 0.004 |
A2 | 0.900 | 1.050 | 0.035 | 0.041 |
b | 0.300 | 0.500 | 0.012 | 0.020 |
c | 0.080 | 0.150 | 0.003 | 0.006 |
D | 2.800 | 3.000 | 0.110 | 0.118 |
E | 1.200 | 1.400 | 0.047 | 0.055 |
E1 | 2.250 | 2.550 | 0.089 | 0.100 |
e | 0.950 TYP | 0.037 TYP | ||
e1 | 1.800 | 2.000 | 0.071 | 0.079 |
L | 0.550 REF | 0.022 REF | ||
L1 | 0.300 | 0.500 | 0.012 | 0.020 |
θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
コンタクトパーソン: David