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MMBTA55 NPNのケイ素力トランジスターSOT-23プラスチックによって内部に閉じ込められるトランジスター

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中国 Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd 認証
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MMBTA55 NPNのケイ素力トランジスターSOT-23プラスチックによって内部に閉じ込められるトランジスター

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大画像 :  MMBTA55 NPNのケイ素力トランジスターSOT-23プラスチックによって内部に閉じ込められるトランジスター

商品の詳細:
起源の場所: 深セン中国
ブランド名: Hua Xuan Yang
証明: RoHS、SGS
モデル番号: MMBTA55
お支払配送条件:
最小注文数量: 1000-2000 PC
価格: Negotiated
パッケージの詳細: 囲まれる
受渡し時間: 1 - 2 週
支払条件: L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力: 1日あたりの18,000,000PCS/

MMBTA55 NPNのケイ素力トランジスターSOT-23プラスチックによって内部に閉じ込められるトランジスター

説明
接合部温度: 150 ℃ タイプ: 三極管のトランジスター
応用分野: 移動式電源は運転者/運動制御を導きました 材質: シリコン
コレクター流れ: 600 mA 保存温度: -55~+150℃

SOT-23はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターMMBTA55トランジスター(NPN)を

 

特徴
 

l運転者トランジスター

 

印が付いていること:2H

 

 

 

最高の評価(通知がなければTa=25℃)
 

記号 変数 価値 単位
VCBO コレクター基盤の電圧 -60 V
VCEO コレクター エミッターの電圧 -60 V
VEBO エミッター基盤の電圧 -4 V
IC コレクター流れ -500 mA
PC コレクターの電力損失 225 MW
RΘJA 接続点からの包囲されたへの熱抵抗 556 ℃/W
Tj 接合部温度 150
Tstg 保管温度 -55~+150

 
 
 
電気特徴(Ta=25℃他に特に規定がなければ)
 

変数 記号 テスト条件 Typ 最高 単位
コレクター基盤の絶縁破壊電圧 V (BR) CBO IC=-100ΜA、IE=0 -60     V
コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 V (BR) CEO IC=-1mA、IB=0 -60     V
エミッター基盤の絶縁破壊電圧 V (BR) EBO IE=-100ΜA、IC=0 -4     V
コレクタ遮断電流 ICBO VCB=-60V、IE=0     -0.1 µA
コレクタ遮断電流 ICEO VCE=-60V、IB=0     -0.1 µA
DCの現在の利益 hFE (1) VCE=-1V、IC=-10mA 100   400  
  hFE (2) VCE=-1V、IC=-100mA 100      
コレクター エミッターの飽和電圧 VCE (坐る) IC=-100mA、IB=-10mA     -0.25 V
基盤エミッターの電圧 VBE VCE=-1V、IC=-100mA     -1.2 V
転移の頻度 fT VCE=-1V、IC=-100mA、f=100MHz 50     MHz

 
 
 

 

 パッケージの輪郭次元
 

記号 ミリメートルの次元 インチの次元
  最高 最高
A 0.900 1.150 0.035 0.045
A1 0.000 0.100 0.000 0.004
A2 0.900 1.050 0.035 0.041
b 0.300 0.500 0.012 0.020
c 0.080 0.150 0.003 0.006
D 2.800 3.000 0.110 0.118
E 1.200 1.400 0.047 0.055
E1 2.250 2.550 0.089 0.100
e 0.950 TYP 0.037 TYP
e1 1.800 2.000 0.071 0.079
L 0.550 REF 0.022 REF
L1 0.300 0.500 0.012 0.020
θ

 
 
MMBTA55 NPNのケイ素力トランジスターSOT-23プラスチックによって内部に閉じ込められるトランジスター 0
MMBTA55 NPNのケイ素力トランジスターSOT-23プラスチックによって内部に閉じ込められるトランジスター 1
MMBTA55 NPNのケイ素力トランジスターSOT-23プラスチックによって内部に閉じ込められるトランジスター 2
 
 
 
 

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コンタクトパーソン: David

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