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商品の詳細:
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| コレクター基盤の電圧: | -400V | コレクターの電力損失: | ：.25 |
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| エミッター基盤の電圧: | -5V | 応用分野: | 移動式電源は運転者/運動制御を導きました |
| コレクター流れは脈打ちました: | -0.3A | ||
| ハイライト: | 高周波トランジスター,電源スイッチのトランジスター |
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SOT-89-3Lはプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターA94トランジスター（NPN）を
低いコレクター エミッターの飽和電圧
高い絶縁破壊電圧
最高の評価（通知がなければTa=25℃）
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
| VCBO | コレクター基盤の電圧 | -400 | V |
| VCEO | コレクター エミッターの電圧 | -400 | V |
| VEBO | エミッター基盤の電圧 | -5 | V |
| IC | 連続的なコレクター流れ- | -0.2 | A |
| ICM | コレクター流れは脈打ちました | -0.3 | A |
| PC | コレクターの電力損失 | 0.5 | W |
| TJ | 接合部温度 | 150 | ℃ |
| Tstg | 保管温度 | -55~+150 | ℃ |
電気特徴（Ta=25℃他に特に規定がなければ）
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
| コレクター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） CBO | IC= -100ΜA、すなわち=0 | -400 | V | ||
| コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | V （BR） CEO | IC= -1MA、IB=0 | -400 | V | ||
| エミッター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） EBO | すなわち=-100ΜA、IC=0 | -5 | V | ||
| コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB=-400V、すなわち=0 | -0.1 | μA | ||
| コレクタ遮断電流 | ICEO | VCE=-400V、IB=0 | -5 | μA | ||
| エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB= -4V、IC=0 | -0.1 | μA | ||
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DCの現在の利益 |
hFE （1） | VCE=-10V、IC=-10mA | 80 | 300 | ||
| hFE （2） | VCE=-10V、IC=-1mA | 70 | ||||
| hFE （3） | VCE=-10V、IC=-100mA | 60 | ||||
| hFE （4） | VCE=-10V、IC=-50mA | 80 | ||||
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コレクター エミッターの飽和電圧 |
VCE （坐る） | IC=-10mA、IB=-1mA | -0.2 | V | ||
| VCE （坐る） | IC=-50mA、IB=-5mA | -0.3 | V | |||
| 基盤エミッターの飽和電圧 | VBE （坐る） | IC=-10mA、IB= -1mA | -0.75 | V | ||
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転移の頻度 |
fT |
VCE=-20V、IC=-10mA f =30MHz |
50 |
MHz |
典型的な特徴
パッケージの輪郭次元
| 記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
| 分 | 最高 | 分 | 最高 | |
| A | 1.400 | 1.600 | 0.055 | 0.063 |
| b | 0.320 | 0.520 | 0.013 | 0.020 |
| b1 | 0.400 | 0.580 | 0.016 | 0.023 |
| c | 0.350 | 0.440 | 0.014 | 0.017 |
| D | 4.400 | 4.600 | 0.173 | 0.181 |
| D1 | 1.550参考。 | 0.061参考。 | ||
| E | 2.300 | 2.600 | 0.091 | 0.102 |
| E1 | 3.940 | 4.250 | 0.155 | 0.167 |
| e | 1.500 TYP。 | 0.060 TYP。 | ||
| e1 | 3.000 TYP。 | 0.118 TYP。 | ||
| L | 0.900 | 1.200 | 0.035 | 0.047 |
SOT-89-3Lによって提案されるパッドのレイアウト
SOT-89-3Lのテープおよび巻き枠
コンタクトパーソン: David
