商品の詳細:
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コレクター基盤の電圧: | -40v | 接合部温度: | 150 ℃ |
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エミッター基盤の電圧: | -5V | 応用分野: | 移動式電源は運転者/運動制御を導きました |
保存温度: | -55~150 ℃ | ||
ハイライト: | 高周波トランジスター,力mosfetのトランジスター |
SOT-89-3Lはプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターB772トランジスター(NPN)を
低速切換え
最高の評価(通知がなければTa=25℃)
記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
VCBO | コレクター基盤の電圧 | -40 | V |
VCEO | コレクター エミッターの電圧 | -30 | V |
VEBO | エミッター基盤の電圧 | -6 | V |
IC | 連続的なコレクター流れ- | -3 | A |
PC | コレクターの電力損失 | 0.5 | W |
RӨJA | 熱抵抗、包囲されたへの接続点 | 250 | ℃/W |
Tj | 接合部温度 | 150 | ℃ |
Tstg | 保管温度 | -55~150 | ℃ |
電気特徴(Ta=25℃他に特に規定がなければ)
変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
コレクター基盤の絶縁破壊電圧 | V (BR) CBO | IC=-100μA、すなわち=0 | -40 | V | ||
コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | V (BR) CEO | IC= -10MA、IB=0 | -30 | V | ||
エミッター基盤の絶縁破壊電圧 | V (BR) EBO | すなわち= -100ΜA、IC=0 | -6 | V | ||
コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB= -40V、すなわち=0 | -1 | μA | ||
コレクタ遮断電流 | ICEO | VCE=-30V、IB=0 | -10 | μA | ||
エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB=-6V、IC=0 | -1 | μA | ||
DCの現在の利益 | hFE | VCE= -2V、IC= -1A | 60 | 400 | ||
コレクター エミッターの飽和電圧 | VCE (坐る) | IC=-2A、IB= -0.2A | -0.5 | V | ||
基盤エミッターの飽和電圧 | VBE (坐る) | IC=-2A、IB= -0.2A | -1.5 | V | ||
転移の頻度 |
fT |
VCE= -5V、IC=-0.1A f =10MHz |
50 |
MHz |
典型的な特徴
パッケージの輪郭次元
記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
分 | 最高 | 分 | 最高 | |
A | 1.400 | 1.600 | 0.055 | 0.063 |
b | 0.320 | 0.520 | 0.013 | 0.020 |
b1 | 0.400 | 0.580 | 0.016 | 0.023 |
c | 0.350 | 0.440 | 0.014 | 0.017 |
D | 4.400 | 4.600 | 0.173 | 0.181 |
D1 | 1.550参考。 | 0.061参考。 | ||
E | 2.300 | 2.600 | 0.091 | 0.102 |
E1 | 3.940 | 4.250 | 0.155 | 0.167 |
e | 1.500 TYP。 | 0.060 TYP。 | ||
e1 | 3.000 TYP。 | 0.118 TYP。 | ||
L | 0.900 | 1.200 | 0.035 | 0.047 |
hFEの分類
ランク | R | O | Y | GR |
範囲 | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
典型的な特徴
コンタクトパーソン: David