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商品の詳細:
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| VCBO: | -160V | VCEO: | -150V |
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| VEBO: | -5V | 使用法: | 電子部品 |
| して、TJ: | 150Š | ボックス: | テープ/皿/巻き枠 |
| ハイライト: | 高周波トランジスター,電源スイッチのトランジスター |
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TO-92はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスター2N5401トランジスター（PNP）を
高圧のŸの切換えそして拡大
電話のようなŸの適用
低のŸの流れ
Ÿの高圧
発注情報
| 部品番号 | パッケージ | パッキング方法 | パックの量 |
| 2N5401 | TO-92 | 大きさ | 1000pcs/Bag |
| 2N5401-TA | TO-92 | テープ | 2000pcs/Box |
最高の評価（通知がなければT =25 Š）
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
| VCBO | コレクター基盤の電圧 | -160 | V |
| VCEO | コレクター エミッターの電圧 | -150 | V |
| VEBO | エミッター基盤の電圧 | -5 | V |
| IC | コレクター流れ | -0.6 | A |
| PC | コレクターの電力損失 | 625 | MW |
| R0 JA | 接続点からの包囲されたへの熱抵抗 | 200 | Š/W |
| Tj | 接合部温度 | 150 | Š |
| Tstg | 保管温度 | -55~+150 | Š |
Ta =25 Š他に特に規定がなければ
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
| コレクター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） CBO | IC= -0.1MA、すなわち=0 | -160 | V | ||
| コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | V （BR） CEO | IC=-1mA、IB=0 | -150 | V | ||
| エミッター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） EBO | すなわち=-0.01MA、IC=0 | -5 | V | ||
| コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB=-120V、すなわち=0 | -50 | nA | ||
| エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB=-3V、IC=0 | -50 | nA | ||
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DCの現在の利益 |
hFE （1） | VCE=-5V、IC=-1mA | 80 | |||
| hFE （2） | VCE=-5V、IC=-10mA | 100 | 300 | |||
| hFE （3） | VCE=-5V、IC=-50mA | 50 | ||||
| コレクター エミッターの飽和電圧 | VCE （坐る） | IC=-50mA、IB=-5mA | -0.5 | V | ||
| 基盤エミッターの飽和電圧 | VBE （坐る） | IC=-50mA、IB=-5mA | -1 | V | ||
| 転移の頻度 | fT | VCE=-5V、IC=-10mA、f =30MHz | 100 | 300 | MHz |
| ランク | A | B | C |
| 範囲 | 100-150 | 150-200 | 200-300 |
典型的な特徴
パッケージの輪郭次元
| 記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
| 分 | 最高 | 分 | 最高 | |
| A | 3.300 | 3.700 | 0.130 | 0.146 |
| A1 | 1.100 | 1.400 | 0.043 | 0.055 |
| b | 0.380 | 0.550 | 0.015 | 0.022 |
| c | 0.360 | 0.510 | 0.014 | 0.020 |
| D | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
| D1 | 3.430 | 0.135 | ||
| E | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
| e | 1.270 TYP | 0.050 TYP | ||
| e1 | 2.440 | 2.640 | 0.096 | 0.104 |
| L | 14.100 | 14.500 | 0.555 | 0.571 |
| 0 | 1.600 | 0.063 | ||
| h | 0.000 | 0.380 | 0.000 | 0.015 |
TO-92 7DSH DQG 5HHO
コンタクトパーソン: David
