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商品の詳細:
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| VCBO: | 40V | VCEO: | 30V |
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| VEBO: | 6v | 製品名: | ケイ素の半導体の三極管のタイプ |
| IC: | 図3A | 力 Mosfet のトランジスター: | TO-92はプラスチック内部に閉じ込めます |
| ハイライト: | 先端のpnpのトランジスター,高い発電のpnpのトランジスター |
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TO-92はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターD882Sトランジスター（NPN）を
電力損失
印が付いていること
D882=Deviceコード
固体は形成の混合装置を、どれも、正常な装置not dot=Green
hFEのZ=Rank、XXX=Code
発注情報
| 部品番号 | パッケージ | パッキング方法 | パックの量 |
| D882S | TO-92 | 大きさ | 1000pcs/Bag |
| D882S-TA | TO-92 | テープ | 2000pcs/Box |
最高の評価（通知がなければT =25 Š）
| 記号 | パラグラフのメートル | 価値 | 単位 |
| VCBO | コレクター基盤の電圧 | 40 | V |
| VCEO | コレクター エミッターの電圧 | 30 | V |
| VEBO | エミッター基盤の電圧 | 6 | V |
| IC | 連続的なコレクター流れ- | 3 | A |
| PD | コレクターの電力損失 | 625 | MW |
| R0 JA | 上昇温暖気流は包囲されたにance f romの接続点に抵抗します | 200 | Š/W |
| Tj | 接合部温度 | 150 | Š |
| Tstg | Stのorageの温度 | -55 ~+150 | Š |
Ta =25 Š他に特に規定がなければ
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
| コレクター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） CBO | IC = 100µA、すなわち=0 | 40 | V | ||
| コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | V （BR） CEO | IC = 10mA、IB=0 | 30 | V | ||
| エミッター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） EBO | すなわち= 100µA、IC=0 | 6 | V | ||
| コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB= 40V、すなわち=0 | 1 | μA | ||
| コレクタ遮断電流 | ICEO | VCE= 30V、IB=0 | 10 | μA | ||
| エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB= 6V、IC=0 | 1 | μA | ||
| DCの現在の利益 | hFE | VCE=2V、IC= 1A | 60 | 400 | ||
| コレクター エミッターの飽和電圧 | VCE （坐る） | IC= 2A、IB= 0.2 A | 0.5 | V | ||
| 基盤エミッターの飽和電圧 | VBE （坐る） | IC= 2A、IB= 0.2 A | 1.5 | V | ||
| 転移の頻度 |
fT |
VCE= 5V、Ic=0.1A f =10MHz |
50 |
80 |
MHz |
| ランク | R | O | Y | GR |
| 範囲 | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
典型的な特徴
パッケージの輪郭次元
| 記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
| 分 | 最高 | 分 | 最高 | |
| A | 3.300 | 3.700 | 0.130 | 0.146 |
| A1 | 1.100 | 1.400 | 0.043 | 0.055 |
| b | 0.380 | 0.550 | 0.015 | 0.022 |
| c | 0.360 | 0.510 | 0.014 | 0.020 |
| D | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
| D1 | 3.430 | 0.135 | ||
| E | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
| e | 1.270 TYP | 0.050 TYP | ||
| e1 | 2.440 | 2.640 | 0.096 | 0.104 |
| L | 14.100 | 14.500 | 0.555 | 0.571 |
| 0 | 1.600 | 0.063 | ||
| h | 0.000 | 0.380 | 0.000 | 0.015 |
コンタクトパーソン: David
