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3DD13002B高い発電のトランジスター回路VCEO 400Vの低い飽和電圧

認証
中国 Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd 認証
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3DD13002B高い発電のトランジスター回路VCEO 400Vの低い飽和電圧

3DD13002B高い発電のトランジスター回路VCEO 400Vの低い飽和電圧
3DD13002B高い発電のトランジスター回路VCEO 400Vの低い飽和電圧

大画像 :  3DD13002B高い発電のトランジスター回路VCEO 400Vの低い飽和電圧

商品の詳細:
起源の場所: 深セン中国
ブランド名: Hua Xuan Yang
証明: RoHS、SGS
モデル番号: 3DD13002B
お支払配送条件:
最小注文数量: 1000-2000 PC
価格: Negotiated
パッケージの詳細: 囲まれる
受渡し時間: 1 - 2 週
支払条件: L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力: 1日あたりの18,000,000PCS/

3DD13002B高い発電のトランジスター回路VCEO 400Vの低い飽和電圧

説明
VCBO: 600v VCEO: 400V
コレクター基盤の電圧: 6v 製品名: 半導体の三極管のタイプ
力 Mosfet のトランジスター: TO-92はプラスチック内部に閉じ込めます タイプ: 三極管のトランジスター
ハイライト:

先端シリーズ トランジスター

,

高い発電のpnpのトランジスター

TO-92はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスター3DD13002Bトランジスター(NPN)を

 

特徴
 

力の切換えの適用

 

 

印が付いていること

13002B=Deviceコード

固体は形成の混合装置を、どれも、正常な装置not dot=Green

XXX=Code

 

3DD13002B高い発電のトランジスター回路VCEO 400Vの低い飽和電圧 0

 

 

発注情報

部品番号 パッケージ パッキング方法 パックの量
3DD13002B TO-92 大きさ 1000pcs/Bag
3DD13002B-TA TO-92 テープ 2000pcs/Box


 

 

 

 

最高の評価(通知がなければT =25 Š)

 

記号 変数 価値 単位
VCBO コレクター基盤の電圧 600 V
VCEO コレクター エミッターの電圧 400 V
VEBO エミッター基盤の電圧 6 V
IC 連続的なコレクター流れ- 0.8 A
PC コレクターの電力損失 0.9 W
TJ 接合部温度 150
Tstg 保管温度 -55 | 150

 

 

 

 


電気特徴

 

 

Ta =25 Š他に特に規定がなければ


 

 

3DD13002B高い発電のトランジスター回路VCEO 400Vの低い飽和電圧 1

変数

記号 テスト条件 Typ 最高

 

3DD13002B高い発電のトランジスター回路VCEO 400Vの低い飽和電圧 2

単位

コレクター基盤の絶縁破壊電圧 V (BR) CBO IC=100μA、すなわち=0 600     V
コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 V (BR) CEO IC=1mA、IB=0 400     V
エミッター基盤の絶縁破壊電圧 V (BR) EBO すなわち= 100μA、IC=0 6     V

 

コレクタ遮断電流

ICBO VCB= 600V、すなわち=0     100 µA
  ICEO VCE= 400V、IB=0     100 µA
エミッターの締切りの流れ IEBO VEB= 6 V、IC=0     100 µA

 

Dc cのurrent利益

hFE1 VCE= 10 V、IC=200mA 9   40  
  hFE2 VCE= 10 V、IC=0.25mA 5      
コレクター エミッターの飽和電圧 VCE (坐る) IC=200mA、IB=40mA     0.5 V
基盤エミッターの飽和電圧 VBE (坐る) IC=200mA、IB=40mA     1.1 V

 

転移の頻度

 

fT

VCE=10V、IC=100mA

f =1MHz

 

5

   

 

MHz

落下時間 tf

 

IC=1A、IB1=-IB2=0.2A VCC=100V

    0.5 µs
貯蔵時間 ts       2.5 µs

 
  

hFE(2)の分類

範囲 9-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 

 

典型的な特徴

3DD13002B高い発電のトランジスター回路VCEO 400Vの低い飽和電圧 33DD13002B高い発電のトランジスター回路VCEO 400Vの低い飽和電圧 43DD13002B高い発電のトランジスター回路VCEO 400Vの低い飽和電圧 53DD13002B高い発電のトランジスター回路VCEO 400Vの低い飽和電圧 6

 

TO-92パッケージの輪郭次元

 

記号 ミリメートルの次元 インチの次元
  最高 最高
A 3.300 3.700 0.130 0.146
A1 1.100 1.400 0.043 0.055
b 0.380 0.550 0.015 0.022
c 0.360 0.510 0.014 0.020
D 4.300 4.700 0.169 0.185
D1 3.430   0.135  
E 4.300 4.700 0.169 0.185
e 1.270 TYP 0.050 TYP
e1 2.440 2.640 0.096 0.104
L 14.100 14.500 0.555 0.571
Φ   1.600   0.063
h 0.000 0.380 0.000 0.015

 

連絡先の詳細
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

コンタクトパーソン: David

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