商品の詳細:
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コレクター基盤の電圧: | 700V | コレクター エミッターの電圧: | 400V |
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エミッター基盤の電圧: | 9 v | 製品名: | 半導体の三極管のタイプ |
して、TJ: | 150 ℃ | タイプ: | 三極管のトランジスター |
ハイライト: | 先端シリーズ トランジスター,高い発電のpnpのトランジスター |
TO-92はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスター3DD13001Bトランジスター(NPN)を
Ÿ力の切換えの適用
印が付いていること
13003B=Deviceコード
固体は形成の混合装置を、どれも、正常な装置not dot=Green
XXX=Code
発注情報
部品番号 | パッケージ | パッキング方法 | パックの量 |
3DD13003B | TO-92 | 大きさ | 1000pcs/Bag |
3DD13003B-TA | TO-92 | テープ | 2000pcs/Box |
最高の評価(通知がなければT =25 Š)
記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
V CBO | コレクター基盤の電圧 | 700 | V |
V CEO | コレクター エミッターの電圧 | 400 | V |
V EBO | エミッター基盤の電圧 | 9 | V |
IC | 連続的なコレクター流れ- | 1.5 | A |
PC | コレクターの電力損失 | 0.9 | W |
TJ | 接合部温度 | 150 | ℃ |
Tstg | 保管温度 | -55 ~150 | ℃ |
Ta =25 Š他に特に規定がなければ
変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
コレクター基盤の絶縁破壊電圧 | V (BR) CBO | IC= 1mA、すなわち=0 | 700 | V | ||
コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | V (BR) CEO | IC= 10mA、IB=0 | 400 | V | ||
エミッター基盤の絶縁破壊電圧 | V (BR) EBO | すなわち= 1mA、IC=0 | 9 | V | ||
コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB= 700V、すなわち=0 | 100 | µA | ||
コレクタ遮断電流 | ICEO | VCE= 400V、IB=0 | 50 | µA | ||
エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB= 7V、IC=0 | 10 | µA | ||
DCの現在の利益 | hFE | VCE= 10V、IC= 0.4 A | 20 | 40 | ||
コレクター エミッターの飽和電圧 |
VCE (坐る) 1 | IC=1.5A、IB= 0.5A | 3 | V | ||
VCE (坐る) 2 | IC=0.5A、IB= 0.1A | 0.8 | V | |||
基盤エミッターの飽和電圧 | VBE (坐る) | IC=0.5A、IB=0.1A | 1 | V | ||
転移の頻度 | fT | VCE=10V、IC=100mA、f =1MHz | 4 | MHz | ||
落下時間 | tf | IC=1A | 0.7 | µs | ||
貯蔵時間 | ts | IB1=-IB2=0.2A | 4 | µs |
ランク | ||||
範囲 | 20-25 | 25-30 | 30-35 | 35-40 |
典型的な特徴
TO-92パッケージの輪郭次元
記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
分 | 最高 | 分 | 最高 | |
A | 3.300 | 3.700 | 0.130 | 0.146 |
A1 | 1.100 | 1.400 | 0.043 | 0.055 |
b | 0.380 | 0.550 | 0.015 | 0.022 |
c | 0.360 | 0.510 | 0.014 | 0.020 |
D | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
D1 | 3.430 | 0.135 | ||
E | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
e | 1.270 TYP | 0.050 TYP | ||
e1 | 2.440 | 2.640 | 0.096 | 0.104 |
L | 14.100 | 14.500 | 0.555 | 0.571 |
Φ | 1.600 | 0.063 | ||
h | 0.000 | 0.380 | 0.000 | 0.015 |
コンタクトパーソン: David