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3DD13003B先端力トランジスター エミッターの基礎電圧9v低いRdson

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中国 Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd 認証
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3DD13003B先端力トランジスター エミッターの基礎電圧9v低いRdson

3DD13003B先端力トランジスター エミッターの基礎電圧9v低いRdson
3DD13003B先端力トランジスター エミッターの基礎電圧9v低いRdson

大画像 :  3DD13003B先端力トランジスター エミッターの基礎電圧9v低いRdson

商品の詳細:
起源の場所: 深セン中国
ブランド名: Hua Xuan Yang
証明: RoHS、SGS
モデル番号: 3DD13003B
お支払配送条件:
最小注文数量: 1000-2000 PC
価格: Negotiated
パッケージの詳細: 囲まれる
受渡し時間: 1 - 2 週
支払条件: L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力: 1日あたりの18,000,000PCS/

3DD13003B先端力トランジスター エミッターの基礎電圧9v低いRdson

説明
コレクター基盤の電圧: 700V コレクター エミッターの電圧: 400V
エミッター基盤の電圧: 9 v 製品名: 半導体の三極管のタイプ
して、TJ: 150 ℃ タイプ: 三極管のトランジスター
ハイライト:

先端シリーズ トランジスター

,

高い発電のpnpのトランジスター

TO-92はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスター3DD13001Bトランジスター(NPN)を

 

特徴
 

Ÿ力の切換えの適用

 

 

印が付いていること

13003B=Deviceコード

固体は形成の混合装置を、どれも、正常な装置not dot=Green

XXX=Code

3DD13003B先端力トランジスター エミッターの基礎電圧9v低いRdson 0

 

 

 

発注情報

部品番号 パッケージ パッキング方法 パックの量
3DD13003B TO-92 大きさ 1000pcs/Bag
3DD13003B-TA TO-92 テープ 2000pcs/Box


 

 

 

 

最高の評価(通知がなければT =25 Š)

記号 変数 価値 単位
V CBO コレクター基盤の電圧 700 V
V CEO コレクター エミッターの電圧 400 V
V EBO エミッター基盤の電圧 9 V
IC 連続的なコレクター流れ- 1.5 A
PC コレクターの電力損失 0.9 W
TJ 接合部温度 150
Tstg 保管温度 -55 ~150

 

 

 

 


電気特徴

 

 

Ta =25 Š他に特に規定がなければ


 

変数 記号 テスト条件 Typ 最高 単位
コレクター基盤の絶縁破壊電圧 V (BR) CBO IC= 1mA、すなわち=0 700     V
コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 V (BR) CEO IC= 10mA、IB=0 400     V
エミッター基盤の絶縁破壊電圧 V (BR) EBO すなわち= 1mA、IC=0 9     V
コレクタ遮断電流 ICBO VCB= 700V、すなわち=0     100 µA
コレクタ遮断電流 ICEO VCE= 400V、IB=0     50 µA
エミッターの締切りの流れ IEBO VEB= 7V、IC=0     10 µA
DCの現在の利益 hFE VCE= 10V、IC= 0.4 A 20   40  

 

コレクター エミッターの飽和電圧

VCE (坐る) 1 IC=1.5A、IB= 0.5A     3 V
  VCE (坐る) 2 IC=0.5A、IB= 0.1A     0.8 V
基盤エミッターの飽和電圧 VBE (坐る) IC=0.5A、IB=0.1A     1 V
転移の頻度 fT VCE=10V、IC=100mA、f =1MHz 4     MHz
落下時間 tf IC=1A     0.7 µs
貯蔵時間 ts IB1=-IB2=0.2A     4 µs

 
  

hFE(2)の分類

ランク        
範囲 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 

 

典型的な特徴

3DD13003B先端力トランジスター エミッターの基礎電圧9v低いRdson 13DD13003B先端力トランジスター エミッターの基礎電圧9v低いRdson 23DD13003B先端力トランジスター エミッターの基礎電圧9v低いRdson 33DD13003B先端力トランジスター エミッターの基礎電圧9v低いRdson 4

 

 

 

 

TO-92パッケージの輪郭次元

 

記号 ミリメートルの次元 インチの次元
  最高 最高
A 3.300 3.700 0.130 0.146
A1 1.100 1.400 0.043 0.055
b 0.380 0.550 0.015 0.022
c 0.360 0.510 0.014 0.020
D 4.300 4.700 0.169 0.185
D1 3.430   0.135  
E 4.300 4.700 0.169 0.185
e 1.270 TYP 0.050 TYP
e1 2.440 2.640 0.096 0.104
L 14.100 14.500 0.555 0.571
Φ   1.600   0.063
h 0.000 0.380 0.000 0.015

 

 

 

 

 

連絡先の詳細
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

コンタクトパーソン: David

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