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商品の詳細:
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| 保存温度: | -55~150℃ | して、TJ: | 150 ℃ |
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| コレクターの電力損失: | 1.25W | 製品名: | 半導体の三極管のタイプ |
| コレクター流れ: | 3.5A | タイプ: | 三極管のトランジスター |
| ハイライト: | 先端のpnpのトランジスター,高い発電のpnpのトランジスター |
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TO-251-3L/TO-252-2Lはプラスチック内部に閉じ込めますトランジスター3DD13002トランジスター（NPN）を
力の切換えの適用
最高の評価（通知がなければT =25 Š）
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
| VCBO | コレクター-基礎電圧 | 600 | V |
| VCEO | コレクター エミッターの電圧 | 400 | V |
| VEBO | エミッター基盤の電圧 | 6 | V |
| IC | 連続的なコレクター流れ- | 1 | A |
| PC | コレクターの電力損失 | 1.25 | W |
| TJ | 接合部温度 | 150 | ℃ |
| Tstg | 保管温度 | -55~150 | ℃ |
Ta =25 Š他に特に規定がなければ
Ta =25 Š他に特に規定がなければ
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
| コレクター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） CBO | IC= 100μA、すなわち=0 | 600 | V | ||
| コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | V （BR） CEO | IC= 1mA、IB=0 | 400 | V | ||
| エミッター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） EBO | すなわち= 100μA、IC=0 | 6 | V | ||
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コレクタ遮断電流 |
ICBO | VCB= 600V、すなわち=0 | 100 | µA | ||
| ICEO | VCB= 400V、すなわち=0 | 100 | µA | |||
| エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB= 7V、IC=0 | 100 | µA | ||
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Dcの現在の利益 |
hFE1 | VCE= 10 V、IC= 200mA | 9 | 40 | ||
| hFE2 | VCE= 10 V、IC= 0.25mA | 5 | ||||
| コレクター エミッターの飽和電圧 | Vセリウム（坐る） | IC=200mA、IB= 40mA | 0.5 | V | ||
| 基盤エミッターの飽和電圧 | Vあって下さい（坐らせる） | IC=200mA、IB= 40mA | 1.1 | V | ||
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転移の頻度 |
fT |
VCE=10V、IC=100mA f =1MHz |
5 |
MHz |
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| 落下時間 | tf | IC=1A、IB1=-IB2=0.2A VCC=100V | 0.5 | µs | ||
| 貯蔵時間 | ts | 2.5 | µs |
hFE1の分類
| 範囲 | 9-15 | 15-20 | 20-25 | 25-30 | 30-35 | 35-40 |
典型的な特徴
TO-92パッケージの輪郭次元
| 記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
| 最少。 | 最高。 | 最少。 | 最高。 | |
| A | 2.200 | 2.400 | 0.087 | 0.094 |
| A1 | 1.050 | 1.350 | 0.042 | 0.054 |
| B | 1.350 | 1.650 | 0.053 | 0.065 |
| b | 0.500 | 0.700 | 0.020 | 0.028 |
| b1 | 0.700 | 0.900 | 0.028 | 0.035 |
| c | 0.430 | 0.580 | 0.017 | 0.023 |
| c1 | 0.430 | 0.580 | 0.017 | 0.023 |
| D | 6.350 | 6.650 | 0.250 | 0.262 |
| D1 | 5.200 | 5.400 | 0.205 | 0.213 |
| E | 5.400 | 5.700 | 0.213 | 0.224 |
| e | 2.300 TYP。 | 0.091 TYP。 | ||
| e1 | 4.500 | 4.700 | 0.177 | 0.185 |
| L | 7.500 | 7.900 | 0.295 | 0.311 |
コンタクトパーソン: David
