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HXY4812 30V Mosfet力トランジスター二重Nチャネルの連続的な下水管現在の6.5A

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中国 Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd 認証
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HXY4812 30V Mosfet力トランジスター二重Nチャネルの連続的な下水管現在の6.5A

HXY4812 30V Mosfet力トランジスター二重Nチャネルの連続的な下水管現在の6.5A
HXY4812 30V Mosfet力トランジスター二重Nチャネルの連続的な下水管現在の6.5A

大画像 :  HXY4812 30V Mosfet力トランジスター二重Nチャネルの連続的な下水管現在の6.5A

商品の詳細:
起源の場所: 深セン中国
ブランド名: Hua Xuan Yang
証明: RoHS、SGS
モデル番号: HXY4812
お支払配送条件:
最小注文数量: 1000-2000 PC
価格: Negotiated
パッケージの詳細: 囲まれる
受渡し時間: 1 - 2 週
支払条件: L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力: 1日あたりの18,000,000PCS/

HXY4812 30V Mosfet力トランジスター二重Nチャネルの連続的な下水管現在の6.5A

説明
製品名: mosfet 力トランジスター VDS: 30V
モデル番号: HXY4812 ボックス: テープ/皿/巻き枠
VGS: ±20V 連続的な下水管の流れ: 6.5A
ハイライト:

高い流れmosfetスイッチ

,

高圧トランジスター

HXY4812 30VはMOSFET Nチャネル二倍になります

 

 

概説

 

HXY4822Aの使用高度の堀の技術への

優秀なRDS ()および低いゲート充満を提供して下さい。これ

装置は負荷スイッチとしてまたはPWMで使用のために適しています

適用。

 

 

プロダクト概要

HXY4812 30V Mosfet力トランジスター二重Nチャネルの連続的な下水管現在の6.5A 0HXY4812 30V Mosfet力トランジスター二重Nチャネルの連続的な下水管現在の6.5A 1

 

 

 

通知がなければ絶対最高評価T =25°C

 

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電気特徴(通知がなければT =25°C)

 

 

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A.RのθJAの価値は2ozの1in2 FR-4板に取付けられる装置によって測定されます。TA =25°C.の静かな空気環境で、銅張りにして下さい

ある特定の適用の価値はユーザーの特定の板設計によって決まります。

B.電力損失PDはTJ(MAX)に≤ 10sの接続点に包囲された熱抵抗を使用して=150°C、基づいています。

C.反復的な評価、接合部温度TJ(MAX) =150°C.の評価によって限られる低頻度および使用率に保つために脈拍幅は基づいています

D.RのθJAはRのθJLを導き、包囲されたに導くべき接続点からの熱インピーダンスの合計です。

E.図1に6の静特性はを使用して得られます <300>

 

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連絡先の詳細
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

コンタクトパーソン: David

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