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商品の詳細:
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| 製品名: | mosfet 力トランジスター | RDS （） （VGS=10Vで）: | < 24m=""> |
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| 材質: | シリコン | モデル番号: | HXY4404 |
| RDS （） （でVGS = 2.5V）: | < 48m=""> | タイプ: | Mosfet のトランジスター |
| ハイライト: | 高い現在のトランジスター,トランジスターを使用するmosfetの運転者 |
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プロダクト概要
| VDS | 30V |
| ID （VGS=10Vで） | 8.5A |
| RDS （） （VGS=10Vで） | < 24m=""> |
| RDS （） （でVGS = 4.5V） | < 30m=""> |
| RDS （） （でVGS = 2.5V） | < 48m=""> |
概説
HXY4404使用高度の堀の技術への
優秀なRDS （）、低いゲート充満および操作を提供して下さい
2.5V低いゲートの電圧を使って。この装置は作ります
ノートCPUの中心DC-DCのための優秀で高い側面スイッチ
転換。
適用
高性能の電源
二次synchronusの整流器
電気特徴（通知がなければT =25°C）
A.RのθJAの価値は2ozの1in2 FR-4板に取付けられる装置によって測定されます。TA =25°C.の静かな空気環境で、銅張りにして下さい
ある特定の適用の価値はユーザーの特定の板設計によって決まります。
B.電力損失PDはTJ（MAX）に≤ 10sの接続点に包囲された熱抵抗を使用して=150°C、基づいています。
C.反復的な評価、接合部温度TJ（MAX） =150°C.の評価によって限られる低頻度および使用率に保つために脈拍幅は基づいています
initialT =25°C。
D.RのθJAはRのθJLを導き、包囲されたに導くべき接続点からの熱インピーダンスの合計です。
E.図1に6の静特性はを使用して得られます <300>
F.これらのカーブは1in2 FR-4板に取付けられる装置によって測定される接続点に包囲された熱インピーダンスに基づいています
2oz.、TJ（MAX）の最高の接合部温度が=150°C. SOAのカーブ単一の脈拍の評価を提供することを仮定します銅張りにしま。
G.最高スパイクの使用率5% =125°C.接合部温度TJ （MAX）によって限られた。
典型的な電気および熱特徴
コンタクトパーソン: David
