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HXY2302Z Mosの電界効果トランジスタNチャネル20-V （D-S） MOSFET

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HXY2302Z Mosの電界効果トランジスタNチャネル20-V （D-S） MOSFET

HXY2302Z Mosの電界効果トランジスタNチャネル20-V （D-S） MOSFET
HXY2302Z Mosの電界効果トランジスタNチャネル20-V （D-S） MOSFET

大画像 :  HXY2302Z Mosの電界効果トランジスタNチャネル20-V （D-S） MOSFET

商品の詳細:
起源の場所: 深セン中国
ブランド名: Hua Xuan Yang
証明: RoHS、SGS
モデル番号: HXY2302Z
お支払配送条件:
最小注文数量: 1000-2000 PC
価格: Negotiated
パッケージの詳細: 囲まれる
受渡し時間: 1 - 2 週
支払条件: L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力: 1日あたりの18,000,000PCS/
連絡先

HXY2302Z Mosの電界効果トランジスタNチャネル20-V （D-S） MOSFET

説明
製品名: mosfet 力トランジスター 力 Mosfet のトランジスター: SOT-23はプラスチック内部に閉じ込めます
して、TJ: 150 ℃ モデル番号: HXY2302Z
RDS （） < 23mΩ: （VGS = 10V） タイプ: Mosfet のトランジスター
ハイライト:

高い現在のトランジスター

,

論理mosfetスイッチ

SOT-23はMOSFETS HXY2302Z Nチャネル20-V （D-S） MOSFETをプラスチック内部に閉じ込めます

 

 

プロダクト概要

 
RDS （）<60m>
RDS （）<73m>
ID=2.3A
VDSS=20V
 
 
最高の評価（通知がなければTa=25℃）
 
HXY2302Z Mosの電界効果トランジスタNチャネル20-V （D-S） MOSFET 0
 
 
T =25 ℃他に特に規定がなければ
 
HXY2302Z Mosの電界効果トランジスタNチャネル20-V （D-S） MOSFET 1
 
典型的な特徴
 
 
HXY2302Z Mosの電界効果トランジスタNチャネル20-V （D-S） MOSFET 2HXY2302Z Mosの電界効果トランジスタNチャネル20-V （D-S） MOSFET 3
 

タグ:

論理mosfetスイッチ,

トランジスターを使用するmosfetの運転者,

高い現在のトランジスター

連絡先の詳細
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

コンタクトパーソン: David

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について

mosfet 力トランジスター

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