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18N20X 200V Mosの電界効果トランジスタの転換の適用のための低いゲート充満

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18N20X 200V Mosの電界効果トランジスタの転換の適用のための低いゲート充満

18N20X 200V Mosの電界効果トランジスタの転換の適用のための低いゲート充満
18N20X 200V Mosの電界効果トランジスタの転換の適用のための低いゲート充満

大画像 :  18N20X 200V Mosの電界効果トランジスタの転換の適用のための低いゲート充満

商品の詳細:
起源の場所: 深セン中国
ブランド名: Hua Xuan Yang
証明: RoHS、SGS
モデル番号: 18N20X
お支払配送条件:
最小注文数量: 1000-2000 PC
価格: Negotiated
パッケージの詳細: 囲まれる
受渡し時間: 1 - 2 週
支払条件: L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力: 1日あたりの18,000,000PCS/
連絡先

18N20X 200V Mosの電界効果トランジスタの転換の適用のための低いゲート充満

説明
製品名: mosfet 力トランジスター 接合部温度:: 150 ℃
材質: シリコン モデル番号: HXY2312
ボックス: テープ/皿/巻き枠 タイプ: Mosfet のトランジスター
ハイライト:

高い現在のトランジスター

,

トランジスターを使用するmosfetの運転者

18N20X 200V Nチャネルの強化モードMOSFET

 

プロダクト概要

 

18N20Xは優秀なRDS （）、2.5V低いゲートの電圧の低いゲート充満および操作を提供するのに高度の平らな技術を使用します。この装置は電池の保護としてまたは他の切換えの適用で使用のために適しています。
 
 
18N20X 200V Mosの電界効果トランジスタの転換の適用のための低いゲート充満 018N20X 200V Mosの電界効果トランジスタの転換の適用のための低いゲート充満 118N20X 200V Mosの電界効果トランジスタの転換の適用のための低いゲート充満 218N20X 200V Mosの電界効果トランジスタの転換の適用のための低いゲート充満 318N20X 200V Mosの電界効果トランジスタの転換の適用のための低いゲート充満 418N20X 200V Mosの電界効果トランジスタの転換の適用のための低いゲート充満 518N20X 200V Mosの電界効果トランジスタの転換の適用のための低いゲート充満 6

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連絡先の詳細
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

コンタクトパーソン: David

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について

mosfet 力トランジスター

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HXY4616 Mosfet力トランジスター±20v VGS高圧VDS 40V VGS ±20v

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