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RS2AによるRS2MはMosfet、高圧Mosfet力0.002オンス0.002オンス0.07のGrams0.07グラム二倍になります

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商品の詳細:
起源の場所: 深セン中国
ブランド名: Hua Xuan Yang
証明: RoHS、SGS
モデル番号: RS2AによるRS2M
お支払配送条件:
最小注文数量: 1000-2000 PC
価格: Negotiated
パッケージの詳細: 囲まれる
受渡し時間: 1 - 2 週
支払条件: L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力: 1日あたりの18,000,000PCS/

RS2AによるRS2MはMosfet、高圧Mosfet力0.002オンス0.002オンス0.07のGrams0.07グラム二倍になります

説明
タイプ: 速い回復整流器ダイオード フィーチャー: 燃焼性の分類94V-0
土台位置: 任意の 重量: 0.002オンス、0.07グラム
プロダクト ID: RS2AによるRS2M ボックス: JEDECのDO-41によって形成されるプラスチック ボディ
ハイライト:

強化モードmosfet

,

高速mosfet

RS2Mの表面の台紙電圧-前方流れ50から1000ボルトのを通したRS2Aは回復整流器の逆-2.0アンペア絶食します


 

特徴
プラスチック パッケージは保険業者の実験室を運びます
燃焼性の分類94V-0
表面のため取付けられた適用
低い逆の漏出
自動化された配置にとって理想的な作り付けのストレイン・レリーフ
高い前方サージ電流の機能
保証される高温にはんだ付けすること:
ターミナルの250のC/10秒
ガラスによって不動態化される破片の接続点
 
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機械データ
 
 
場合:不動態化された破片上のJEDECのDO-214ACによって形成されるプラスチック ボディ
ターミナル:、MIL-STD-750ごとにsolderableめっきされる、はんだ
方法2026年
極性:色バンドは陰極の端を表示します
土台位置:
重量:0.002オンス、0.07グラム
 
 
最高の評価および電気特徴

 

25のCの周囲温度の評価他に特に規定がなければ。単一フェーズ容量性負荷流れのための半波60Hzの、抵抗または誘導負荷は、20%によって軽減します。
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注:
1. 逆の回復状態IF=0.5A、IR=1.0A、Irr=0.25A
2. 4.0V D.C.の1MHzそして適用された逆電圧で測定されて
3. 接続点からの0.375"の包囲されたへの熱抵抗(9.5mmの)鉛の長さ、PCBのmounte
 
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連絡先の詳細
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

コンタクトパーソン: David

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