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商品の詳細:
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| 製品名: | mosfet 力トランジスター | 応用分野: | 力管理 |
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| フィーチャー: | 優秀なRDS （） | 力 Mosfet のトランジスター: | 強化モード力MOSFET |
| モデル番号: | 12N10 | ||
| ハイライト: | nチャネルmosfetのトランジスター,高圧トランジスター |
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HXY12N10 Nチャネルの強化モード力MOSFET
記述
HXY12N10は低いゲート充満を優秀なRDSに（）与えるのに高度の堀の技術および設計を使用します。それはいろいろ適用で使用することができます。
特徴
● VDS =100V、ID =12A
RDS （） < 130m="">
適用
●力の切換えの適用
●の懸命に転換された高周波回路
●の無停電電源装置
| 変数 | 記号 | 限界 | 単位 |
| 下水管源の電圧 | VDS | 100 | V |
| ゲート源の電圧 | VGS | ±20 | V |
| 現在連続的流出させて下さい | ID | 12 | A |
| 現在連続的流出させて下さい（TC=100℃） | ID （100℃） | 6.5 | A |
| 脈打った下水管の流れ | IDM | 38.4 | A |
| 最高の電力損失 | PD | 30 | W |
| 要因の軽減 | 0.2 | With℃ | |
| 単一の脈拍のなだれエネルギー（ノート5） | EAS | 20 | mJ |
| 作動の接続点および保管温度の範囲 | TJ、TSTG | -55から175 | ℃ |
注:ピン アサイン:G:ゲートD:下水管S:源
絶対最高評価（TC = 25°С、他に特に規定がなければ）
| 変数 | 記号 | 評価 | 単位 | |
| 下水管源の電圧 | VDSS | 600 | V | |
| ゲート源の電圧 | VGSS | ±30 | V | |
| 連続的な下水管の流れ | ID | 10 | A | |
| 脈打った下水管の流れ（ノート2） | IDM | 40 | A | |
| なだれの流れ（ノート2） | IAR | 8.0 | A | |
| なだれエネルギー | 脈打つ選抜して下さい（ノート3） | EAS | 365 | mJ |
| ダイオードの回復dv/dt （ノート4）を最高にして下さい | dv/dt | 4.5 | ns | |
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電力損失 |
TO-220 |
PD |
156 | W |
| TO-220F1 | 50 | W | ||
| TO-220F2 | 52 | W | ||
| 接合部温度 | TJ | +150 | °C | |
| 保管温度 | TSTG | -55 | +150 | °C | |
注:1.絶対最高評価は装置が永久に損なうことができるそれらの価値です。
絶対最高評価は圧力の評価だけであり、機能装置操作は意味されません。
4. 反復的な評価:最高の接合部温度によって限られる脈拍幅。
5. L = 84mH、=1.4AとしてI、VDD = 50V、RG = Tを始める25 ΩJ = 25°C
6. ISDの≤ 2.0A、di/dt ≤200A/μs、Tを始めるVDD ≤BVDSSJ = 25°C
電気特徴（TJ = 25°С、他に特に規定がなければ）
| 変数 | 記号 | 条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
| 特徴を離れて | ||||||
| 下水管源の絶縁破壊電圧 | BVDSS | VGS=0V ID=250μA | 100 | 110 | - | V |
| ゼロ ゲートの電圧下水管の流れ | IDSS | VDS=100V、VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| ゲート ボディ漏出流れ | IGSS | VGS=±20V、VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 特徴（ノート3） | ||||||
| ゲートの境界の電圧 | VGS （Th） | VDS=VGS、ID=250μA | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V |
| 下水管源のオン州の抵抗 | RDS （） | VGS=10V、ID =8A | 98 | 130 | mのΩ | |
| 前方相互コンダクタンス | gFS | VDS=25V、ID=6A | 3.5 | - | - | S |
| 動特性（Note4） | ||||||
| 入力キャパシタンス | Clss |
VDS=25V、VGS=0V、F=1.0MHz |
- | 690 | - | PF |
| 出力キャパシタンス | Coss | - | 120 | - | PF | |
| 逆の移動キャパシタンス | Crss | - | 90 | - | PF | |
| 切換えの特徴（ノート4） | ||||||
| 遅れ時間回転 | td （） |
VDD=30V、ID=2A、RL=15Ω VGS=10V、RG=2.5Ω |
- | 11 | - | nS |
| 上昇時間回転 | tr | - | 7.4 | - | nS | |
| 回転遅れ時間 | td （） | - | 35 | - | nS | |
| 回転落下時間 | tf | - | 9.1 | - | nS | |
| 総ゲート充満 | Qg |
VDS=30V、ID=3A、VGS=10V |
- | 15.5 | NC | |
| ゲート源充満 | Qgs | - | 3.2 | - | NC | |
| ゲート下水管充満 | Qgd | - | 4.7 | - | NC | |
| 下水管源のダイオード特徴 | ||||||
| ダイオード前方電圧（ノート3） | VSD | VGS=0V、IS=9.6A | - | - | 1.2 | V |
| ダイオードの前方流れ（ノート2） | IS | - | - | 9.6 | A | |
| 逆の回復時間 | trr |
TJ = 25°C、=9.6Aなら di/dt = 100A/μs（Note3） |
- | 21 | nS | |
| 逆の回復充満 | Qrr | - | 97 | NC | ||
| 時間回転に進めて下さい | トン | 時間回転の真性は僅かです（回転でLS+LDによって支配されます） | ||||
基本的に実用温度の独立者。注:1.脈拍テスト:脈拍幅の≤ 300µsの使用率の≤ 2%。
コンタクトパーソン: David
