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強力な論理のレベルのトランジスター/NチャネルMosfetスイッチ2N60 TO-220F

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中国 Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd 認証
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強力な論理のレベルのトランジスター/NチャネルMosfetスイッチ2N60 TO-220F

強力な論理のレベルのトランジスター/NチャネルMosfetスイッチ2N60 TO-220F
強力な論理のレベルのトランジスター/NチャネルMosfetスイッチ2N60 TO-220F 強力な論理のレベルのトランジスター/NチャネルMosfetスイッチ2N60 TO-220F

大画像 :  強力な論理のレベルのトランジスター/NチャネルMosfetスイッチ2N60 TO-220F

商品の詳細:
起源の場所: 深セン中国
ブランド名: Hua Xuan Yang
証明: RoHS、SGS
モデル番号: 2N60- TO-220F
お支払配送条件:
最小注文数量: ネゴシエーション
価格: Negotiated
パッケージの詳細: 囲まれる
受渡し時間: 1 - 2 週
支払条件: L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力: 1日あたりの18,000,000PCS/

強力な論理のレベルのトランジスター/NチャネルMosfetスイッチ2N60 TO-220F

説明
製品名: 論理の水平なトランジスター 特長: 強力な
モデル番号: 2N60- TO-220F 下水管源の電圧: 600v
ゲート源の電圧: ± 30V タイプ: NチャネルMosfetスイッチ
ハイライト:

nチャネルmosfetのトランジスター

,

高圧トランジスター

強力な論理のレベルのトランジスター/NチャネルMosfetスイッチ2N60 TO-220F
 
論理の水平なトランジスター記述
 
UTC 2N60-TC3は高圧力MOSFET、速い切換えの時間、低いゲート充満の低いオン州の抵抗のようなよりよい特徴を、持つようにそして高く険しいなだれの特徴を持つように設計されています。この力MOSFETは通常DCコンバーターへ電源、PWMの運動制御、高く有効なDCおよびブリッジ・サーキットの使用された高速で転換の適用です。
 
論理の水平なトランジスター特徴
 
* RDSの() < 7="">*高い切り替え速度
 
論理の水平なトランジスター記号
強力な論理のレベルのトランジスター/NチャネルMosfetスイッチ2N60 TO-220F 0
発注情報

注文番号

パッケージ

ピン アサイン

パッキング

無鉛

ハロゲンは放します

1

2

3

2N60L-TF1-T

2N60G-TF1-T

TO-220F1

G

D

S

2N60L-TF3-T

2N60G-TF3-T

TO-220F

G

D

S

2N60L-TM3-T

2N60G-TM3-T

TO-251

G

D

S


注:ピン アサイン:G:ゲートD:下水管S:源
 
強力な論理のレベルのトランジスター/NチャネルMosfetスイッチ2N60 TO-220F 1
印が付いていること
強力な論理のレベルのトランジスター/NチャネルMosfetスイッチ2N60 TO-220F 2
絶対最高評価(TC = 25°С、他に特に規定がなければ)
 

変数

記号

評価

単位

下水管源の電圧

VDSS

600

V

ゲート源の電圧

VGSS

± 30

V

流れを流出させて下さい

連続的

ID

2

A

脈打つ(ノート2)

IDM

4

A

なだれエネルギー

脈打つ選抜して下さい(ノート3)

EAS

84

mJ

ダイオードの回復dv/dt (ノート4)を最高にして下さい

dv/dt

4.5

V/ns

電力損失

TO-220F/TO-220F1

PD

23

W

TO-251

44

W

接合部温度

TJ

+150

°C

保管温度

TSTG

-55 | +150

°C

注:1.絶対最高評価は装置が永久に損なうことができるそれらの価値です。
絶対最高評価は圧力の評価だけであり、機能装置操作は意味されません。

  1. 反復的な評価:最高の接合部温度によって限られる脈拍幅。

  2. L = 84mH、IAS =1.4A、VDD = 50V、RG =始まる25 Ω TJ = 25°C

  3. ISDの≤ 2.0A、di/dt ≤200A/μs、始まるVDD ≤BVDSS TJ = 25°C

熱データ
 

変数

記号

評価

単位

包囲されたへの接続点

TO-220F/TO-220F1

θJA

62.5

°C/W

TO-251

100

°C/W

場合への接続点

TO-220F/TO-220F1

θJC

5.5

°C/W

TO-251

2.87

°C/W

 
電気特徴(TJ = 25°С、他に特に規定がなければ)
 

変数

記号

テスト条件

TYP

MAX

単位

特徴を離れて

下水管源の絶縁破壊電圧

BVDSS

VGS=0V、ID= 250μA

600

 

 

V

下水管源の漏出流れ

IDSS

VDS=600V、VGS=0V

 

 

1

µA

ゲート源の漏出流れ

前方

IGSS

VGS=30V、VDS=0V

 

 

100

nA

VGS=-30V、VDS=0V

 

 

-100

nA

特徴

ゲートの境界の電圧

VGS (TH)

VDS=VGS、ID=250μA

2.0

 

4.0

V

静的な下水管源のオン州の抵抗

RDS ()

VGS=10V、ID=1.0A

 

 

7.0

動特性

入力キャパシタンス

CISS

 
VGS=0V、VDS=25V、f=1.0 MHz

 

190

 

pF

出力キャパシタンス

COSS

 

28

 

pF

逆の移動キャパシタンス

CRSS

 

2

 

pF

切換えの特徴

総ゲート充満(ノート1)

QG

VDS=200V、VGS=10V、ID=2.0A IG=1mA (ノート1、2)

 

7

 

NC

Gateource充満

QGS

 

2.9

 

NC

ゲート下水管充満

QGD

 

1.9

 

NC

遅れ時間(ノート1)回転

tD ()

 
VDS=300V、VGS=10V、ID=2.0A、RG=25Ω (ノート1、2)

 

4

 

ns

上昇時間

tR

 

16

 

ns

回転遅れ時間

tD ()

 

16

 

ns

落下時間

tF

 

19

 

ns

源の下水管のダイオードの評価および特徴

最高のボディ ダイオードの連続的な流れ

あります

 

 

 

2

A

最高のボディ ダイオードは流れ脈打ちました

主義

 

 

 

8

A

下水管源のダイオード前方電圧(ノート1)

VSD

VGS=0V、IS=2.0A

 

 

1.4

V

逆の回復時間(ノート1)

trr

VGS=0V、IS=2.0A、
dIF/dt=100A/µs (Note1)

 

232

 

ns

逆の回復充満

Qrr

 

1.1

 

µC

注:1.脈拍テスト:脈拍幅の≤ 300µsの使用率の≤ 2%。
   基本的に実用温度の独立者。
 
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