商品の詳細:
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製品名: | nチャネルのトランジスター | 特長: | 表面の台紙のパッケージ |
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モデル番号: | 18N20 TO-263 | 下水管源の電圧: | 200ボルト |
連続的な下水管の流れ: | 18A | アプリケーション: | 論理mosfetスイッチ |
ハイライト: | nチャネルmosfetのトランジスター,高圧トランジスター |
強化モードNチャネルのトランジスター/論理Mosfetスイッチ表面の台紙のパッケージ
Nチャネルのトランジスター記述
18N20X使用高度の平らな技術
優秀なRds ()、2.5V低いゲートの電圧の低いゲート充満および操作を提供するため。この装置は電池の保護としてまたは他の切換えの適用で使用のために適しています。
概要の特徴
Vds = 200V ID = 18A
Rds () < 120mQ="">
パッケージの印および発注情報
プロダクトID | パック | 印が付いていること | Qty (PCS) |
18N20P | TO-220 | 18N20P XXX YYYY | 1000 |
18N20F | TO-263 | 18N20F XXX YYYY | 1000 |
通知がなければ絶対最高評価Tc=25°C
200V Nチャネルの強化モードMOSFET
脈拍テスト:脈拍幅 < 300="">
TO-252パッケージの輪郭
次元(単位:mm)
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TO-220-3Lのパッケージ情報
記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
最少。 | 最高。 | 最少。 | 最高。 | |
A | 4.400 | 4.600 | 0.173 | 0.181 |
A1 | 2.250 | 2.550 | 0.089 | 0.100 |
b | 0.710 | 0.910 | 0.028 | 0.036 |
b1 | 1.170 | 1.370 | 0.046 | 0.054 |
c | 0.330 | 0.650 | 0.013 | 0.026 |
CL | 1.200 | 1.400 | 0.047 | 0.055 |
D | 9.910 | 10.250 | 0.390 | 0.404 |
E | 8.9500 | 9.750 | 0.352 | 0.384 |
E1 | 12.650 | 12.950 | 0.498 | 0.510 |
e | 2.540 TYP。 | 0.100 TYP。 | ||
el | 4.980 | 5.180 | 0.196 | 0.204 |
F | 2.650 | 2.950 | 0.104 | 0.116 |
H | 7.900 | 8.100 | 0.311 | 0.319 |
h | 0.000 | 0.300 | 0.000 | 0.012 |
L | 12.900 | 13.400 | 0.508 | 0.528 |
L1 | 2.850 | 3.250 | 0.112 | 0.128 |
V | 7.500参考。 | 0.295参考。 | ||
① | 3.400 | 3.800 | 0.134 | 0.150 |
O-263-2Lのパッケージ情報
記号 | 株式会社 | HIES | MILLIM | ETERS | NOTIES |
分 | MAX | 小型 | MAX | ||
A | 0.170 | 0.180 | 4.32 | 4.57 |
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A1 | - | 0.010 | - | 0.25 |
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b | 0.028 | 0.037 | 0.71 | 0.94 |
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b2 | 0.045 | 0.055 | 1.15 | 1.40 |
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c | 0.018 | 0.024 | 0.46 | 0.61 |
|
c2 | 0.04|8 | 0.055 | 1.22 | 1.40 |
|
D | 0.350 | 0.370 | 8.89 | 9.40 |
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D1I | 0.315 | 0.324 | 8.01 | 8.23 |
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E | 0.395 | 0.405 | 10,04 | 10.28 |
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E1 | 0.310 | 0.318 | 7.88 | 8.08 |
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e | 0.100 | BSC. | 2.54 | BSC. |
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L | 0.580 | 0.620 | 14.73 | 15.75 |
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L1I | 0.090 | 0.110 | 2.29 | 2.79 |
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L2 | 0.045 | 0.055 | 1.15 | 1.39 |
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L3 | 0.050 | 0.070 | 1.27 | 1.77 |
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B | 0° | 8° | Cr | 8° |
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コンタクトパーソン: David