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商品の詳細:
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| 製品名: | Mosの電界効果トランジスタ | V DSSの下水管源の電圧: | 60 ボルト |
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| V GSSのゲート源の電圧: | ±25 V | T Jの最高の接合部温度: | 175 °C |
| T STGの保管温度の範囲: | -55 から 150 °C | I現在連続的なSの源（ボディ ダイオード）: | 66A |
| ハイライト: | 論理mosfetスイッチ,トランジスターを使用するmosfetの運転者 |
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なだれ評価されるMosの電界効果トランジスタ インバーター システム力管理
Mosの電界効果トランジスタの記述
Mosの電界効果トランジスタはタイプのMOSFETです。力MOSFETの運営原則は一般的なMOSFETに類似しています。力のMOSFETSは非常に特別力の高レベルを扱うためにです。それは高い切り替え速度を示し、正常なMOSFETによって比較によって、力MOSFETはよりよく働きます。力のMOSFETsはnチャネルの強化モード、pチャネルの強化モードで、そしてnチャネルの枯渇モードの本質上広く利用されています。ここに私達はNチャネル力MOSFETについて説明しました。力MOSFETの設計はCMOSの技術の使用によってなされ、集積回路の製造の開発のために70年代でも使用されました。
Mosの電界効果トランジスタの特徴
V/ A、
RのDS （） =10.4mの（typ。） @ V GS =10V
評価されるなだれ
信頼でき、険しい
利用できる無鉛および緑装置
（迎合的なRoHS）
Mosの電界効果トランジスタの塗布
インバーター システムのための力管理。
命令し、示す情報
D
U:TO-251-3L D:TO-252-2L
命令し、示す情報
G:無鉛装置
日付コード
パッケージ コード
アセンブリ材料
YYXXX WW
1606
YYXXXJWW G
1606
YYXXXJWW G
V1.1
1
HUAYI
HUAYIは定義します
ationの終わり;RoHSに完全に準拠しているかどれが。HUAYIの鉛
注:HUAYIの無鉛プロダクトは鋳造物の混合物を含んでいましたり/付加材料および100%のマットのブリキ板死にます
Terminのなしのプロダクトは鉛に会うか、または超過します
無鉛ピーク退潮の温度のMSLの分類のためのIPC/JEDEC J-STD-020の自由な条件。
自由な無鉛（迎合的なRoHS）およびハロゲンを意味する「緑」（BrかCLは超過しません
同質な材料の重量およびBrおよびCLの合計900ppmは重量1500ppmを超過しません）。
変更、訂正、強化、修正および改善をへのする権利を確保します
この文書へのこのプロダクトおよび/またはいつでも予告なしに。
絶対最高評価
コンタクトパーソン: David
