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商品の詳細:
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| 製品名: | Mosの電界効果トランジスタ | V DSSの下水管源の電圧: | 30ボルト |
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| V GSSのゲート源の電圧: | ±20 V | T Jの最高の接合部温度: | 175 °C |
| T STGの保管温度の範囲: | -55 から 150 °C | I現在連続的なSの源（ボディ ダイオード）: | 100A |
| ハイライト: | 論理mosfetスイッチ,トランジスターを使用するmosfetの運転者 |
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線形力Mosの電界効果トランジスタの縦の構造3403D-U-V
Mosの電界効果トランジスタの記述
Mosの電界効果トランジスタはスイッチとして多くので電源および全権の適用、特に使用されます。変形sは平面のMOSFETs、VMOS、UMOS TrenchMOS、HEXFETsおよび他の異なった銘柄が含まれています。
Mosの電界効果トランジスタの特徴
30V/100A
R DS （） = 2.4mΩ （typ。）@V GS = 10V
R DS （） = 2.9mΩ （typ。）@V GS = 4.5V
テストされる100%のなだれ
信頼でき、険しい
自由なハロゲンおよび利用できる緑装置
（迎合的なRoHS）
適用
システム高周波同期木びき台
コンピュータ プロセッサ力のためのコンバーター
高周波によって隔離されるDC-DC
同期改正のコンバーター
電気通信および産業使用のため
命令し、示す情報
D U V
3403 3403 3403
YYXXXJWW G YYXXXJWW G YYXXXJWW G
パッケージ コード
D:TO-252-2L U:TO-251-3L V:TO-251-3S
日付コード アセンブリ材料
YYXXX WW G:ハロゲンは放します
注:なしのプロダクトは鋳造物の混合物を含んでいましたり/付加材料および100%のマットの錫のplateTermi-死にます
国家の終わり;RoHSに完全に準拠しているかどれが。なしのプロダクトは無鉛に要求します会うか、または超過します
無鉛ピーク退潮の温度のMSLの分類のためのIPC/JEDEC J-STD-020のments。「緑」
自由な無鉛（迎合的なRoHS）およびハロゲンを意味するため（BrかCLは同質の重量900ppmを超過しません
BrおよびCLの物質的、全体重量1500ppmを超過しません）。
このプロダクトへのおよび/またはこの文書への変更、訂正、強化、修正および改善をいつでも予告なしにする権利を確保します。
絶対最高評価
コンタクトパーソン: David
