商品の詳細:
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製品名: | 電界効果トランジスタ | V DSSの下水管源の電圧: | 40V |
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V GSSのゲート源の電圧: | ±20 V | T Jの最高の接合部温度: | 175 °C |
T STGの保管温度の範囲: | -55 から 150 °C | I現在連続的なSの源(ボディ ダイオード): | 250A |
ハイライト: | 論理mosfetスイッチ,トランジスターを使用するmosfetの運転者 |
信頼でき、険しい電界効果トランジスタ/高周波Mosfet
電界効果トランジスタの特徴
40V/250A
R DS () = mの(typ。) @ V GS =10V
テストされる100%のなだれ
険しいReliableand
鉛FreeandGreenDevicesAvailable
(RoHSCompliant)
電界効果トランジスタの塗布
切換えの適用
インバーター システムのための力管理
絶対最高評価
コンタクトパーソン: David