縦の構造Mosの電界効果トランジスタDC/DCのコンバーター力管理

縦の構造Mosの電界効果トランジスタDC/DCのコンバーター力管理

力MOSFETのタイプ

力のMOSFETsの全面的な競技場の中では、異なった製造業者によって開発され、演説されたいくつかの特定の技術があります。彼らは力のMOSFETsが流れを運び、パワー レベルをもっと効率的に扱うことを可能にするいくつかの異なった技術を使用します。既に述べられて彼らが頻繁に縦の形態を組み込むように構成して下さい

従って異なったタイプの力MOSFETに異なった属性があり、ある特定の適用に特に適することができます。

• 平面力MOSFET:これは力MOSFETの基底形式です。それは抵抗がepi層の抵抗によって支配されるので高圧評価のためによいです。この構造は一般に高い細胞密度が必要なとき使用されます。
• VMOS:VMOS力のずっとMOSFETsは利用できます長年にわたり。基本概念は流れの縦の流れを可能にするのにVの溝の構造を使用しまそれにより抵抗線およびよりよい切換えの特徴でより低く提供します。使用されていますが、それらは力の切換えのためにまた高周波小さいRFの電力増幅器に使用するかもしれません。
• UMOS:力MOSFETのUMOS版はそれに類似した果樹園をVMOS FET使用します。但し果樹園にそれに平底があり、ある異なった利点を提供します。
• HEXFET:力MOSFETのこの形態は現在の機能を提供するのに六角形の構造を使用します。
• TrenchMOS:再度TrenchMOS力MOSFETは基本的なケイ素でよりよく処理の容量および特徴を提供するのに同じような基本的な果樹園か堀を使用します。特に、堀力のMOSFETsは抵抗のチャネル密度そしてそれ故により低いのために200ボルトの上の電圧のために主に使用されます。

特徴

-40V/-50A
R DS （） = 9.1mΩ （typ。） @V GS = -10V
R DS （） = 12mΩ （typ。） @V GS = -4.5V
テストされる100%のなだれ
信頼でき、険しい
自由なハロゲンおよび利用できる緑装置
（迎合的なRoHS）

命令し、示す情報

D U V

G110P04L G110P04L G110P04L

パッケージ コード

D:TO-252-2L U:TO-251-3L V:TO-251-3S

日付コード

注:HUAYIの無鉛プロダクトは鋳造物の混合物を含んでいましたり/付加材料および100%のマットの錫のplateTermi-死にます
国家の終わり;RoHSに完全に準拠しているかどれが。HUAYIの無鉛プロダクトは無鉛に要求します会うか、または超過します
無鉛ピーク退潮の温度のMSLの分類のためのIPC/JEDEC J-STD-020のments。HUAYIは定義します「緑」を
自由な無鉛（迎合的なRoHS）およびハロゲンを意味するため（BrかCLは同質の重量900ppmを超過しません
BrおよびCLの物質的、全体重量1500ppmを超過しません）。
HUAYIはこのprへの変更、訂正、強化、修正および改善をする権利を確保します
-この文書へのoductおよび/またはいつでも予告なしに。

絶対最高評価