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インバーター システム管理のための低いゲート充満Mosfet力トランジスター

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中国 Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd 認証
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インバーター システム管理のための低いゲート充満Mosfet力トランジスター

インバーター システム管理のための低いゲート充満Mosfet力トランジスター
インバーター システム管理のための低いゲート充満Mosfet力トランジスター

大画像 :  インバーター システム管理のための低いゲート充満Mosfet力トランジスター

商品の詳細:
起源の場所: 深セン中国
ブランド名: Hua Xuan Yang
証明: RoHS、SGS
モデル番号: 4306W-A
お支払配送条件:
最小注文数量: ネゴシエーション
価格: Negotiated
パッケージの詳細: 囲まれる
受渡し時間: 1 - 2 週
支払条件: L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力: 1日あたりの18,000,000PCS/

インバーター システム管理のための低いゲート充満Mosfet力トランジスター

説明
製品名: mosfet 力トランジスター モデル番号: 4306W-A
力: 60V/230A R DS () = mの(typ。): @ V GS =10V
フィーチャー: 低いゲート充満 応用分野: スイッチング
ハイライト:

nチャネルmosfetのトランジスター

,

高圧トランジスター

インバーター システム管理のための低いゲート充満Mosfet力トランジスター

 

Mosfet力トランジスターは何ですか。

 

力MOSFETは金属酸化膜半導体の電界効果トランジスタの特別なタイプです。特に高レベル力を扱うことを設計します。力MOSFET'SはV構成で組み立てられます。従って、それはまたV-MOSFET、VFETとして呼ばれます。N-チャネル及びP-チャネル力MOSFETの記号は下の図で示されています。

 

Mosfet力トランジスター記述

 

60V/230A
R DS () = mの(typ。) @ V GS =10V
険しいReliableand
鉛FreeandGreenDevicesAvailable
(RoHSCompliant)

 

Mosfet力トランジスター塗布

 

切換えの適用

インバーター システムのための力管理。

 

命令し、示す情報

 

注:HUAYIの無鉛プロダクトは鋳造物の混合物を含んでいましたり/付加材料および100%のマットのブリキ板Termi-死にます
国家の終わり;RoHSに完全に準拠しているかどれが。HUAYIの無鉛プロダクトは無鉛に要求します会うか、または超過します
無鉛ピーク退潮の温度のMSLの分類のためのIPC/JEDEC J-STD-020のments。HUAYIは定義します
自由な無鉛(迎合的なRoHS)およびハロゲンを意味する「緑」(BrかCLは重量900ppmを超過しません
BrおよびCLの同質な材料そして合計は重量1500ppmを超過しません)。
HUAYIはこのprへの変更、訂正、強化、修正および改善をする権利を確保します
この文書へのoductおよび/またはいつでも予告なしに。

 

絶対最高評価

 

インバーター システム管理のための低いゲート充満Mosfet力トランジスター 0

 

典型的なオペレーティング特性

 

インバーター システム管理のための低いゲート充満Mosfet力トランジスター 1

 

 

連絡先の詳細
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

コンタクトパーソン: David

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