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強化モードNチャネルMosfet力トランジスター低電圧100V

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強化モードNチャネルMosfet力トランジスター低電圧100V

強化モードNチャネルMosfet力トランジスター低電圧100V
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大画像 :  強化モードNチャネルMosfet力トランジスター低電圧100V

商品の詳細:
起源の場所: 深セン中国
ブランド名: Hua Xuan Yang
証明: RoHS、SGS
モデル番号: AP3N10BI
お支払配送条件:
最小注文数量: ネゴシエーション
価格: Negotiated
パッケージの詳細: 囲まれる
受渡し時間: 1 - 2 週
支払条件: L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力: 1日あたりの18,000,000PCS/

強化モードNチャネルMosfet力トランジスター低電圧100V

説明
製品名: NチャネルMosfet力 型番: AP3N10BI
印が付いていること: MA4 パック: SOT23
VDSDrain源の電圧: 100V VGSGate-Souのrceの電圧: ±20A
ハイライト:

nチャネルmosfetのトランジスター

,

高圧トランジスター

強化モードNチャネルMosfet力トランジスター低電圧100V

 

NチャネルMosfet力 働きおよび特徴

 

力MOSFETの構造はV構成に私達が次の図で見ることができるように、あります。従って装置はまたV-MOSFETかV-FETとして呼ばれます。力MOSFETの形が装置表面から突き通るために切られるV-はN+、PおよびN –層にN+の基質にほとんどあります。N+の層は低い抵抗材料との重く添加された層であり、N-の層は抗力が高い地域の軽く添加された層です。

 

NチャネルMosfet力の特徴

 

 

VDS= 100V I D=2.8 A

 

 

RDS ()< 320m="">

 

NチャネルMosfet力の適用

 

電池の保護

無停電電源装置

 

パッケージの印および発注情報

 

プロダクトID パック 印が付いていること Qty (PCS)
AP3N10BI SOT23 MA4 3000

 

絶対最高評価(TC=25℃他に特に規定がなければ)

 

 

記号 変数 評価 単位
VDS 下水管源の電圧 100 V
VGS ゲートSouのrceの電圧 ±20 V
ID@TA =25℃ 連続的な下水管の流れ、V GS @ 10V 1 2.8 A
ID@TA =70℃ 連続的な下水管の流れ、V GS @ 10V 1 1 A
IDM 脈打った下水管Current2 5 A
PD@TA =25の℃ 総力Dissipation3 1 W
TSTG 保管温度の範囲 -55から150
TJ 作動の接合部温度の範囲 -55から150
RθJA 熱抵抗接続点包囲された1 125 ℃/W
RθJC 熱抵抗の接続点場合1 80 ℃/W

 

電気特徴(通知がなければTJ =25の℃、)

 

 

記号 変数 条件 最少。 Typ。 最高。 単位
BVDSS 下水管源の絶縁破壊電圧 VGS=0V、ID=250uA 100 --- --- V
△ BVDSS/△TJ BVDSSの温度係数 25℃、ID=1mAへの参照 --- 0.067 --- V/℃
RDS () 静的な下水管源のオン抵抗 VGS=10V、I D=1A --- 260 310

 

VGS=4.5V、I D=0.5A --- 270 320
VGS (Th) ゲートの境界の電圧 VGS=VDS、I =250UA 1.0 1.5 2.5 V
△VGS (Th) VGS (Th)の温度係数   --- -4.2 --- mV/℃
IDSS 下水管源の漏出流れ VDS=80V、VGS=0V、TJ=25℃ --- --- 1 uA
IDSS 下水管源の漏出流れ VDS=80V、VGS=0V、TJ=25℃ --- --- 5 uA
IGSS ゲート源の漏出流れ VGS=±20V、VDS=0V --- --- ±100 nA
gfs 前方相互コンダクタンス VDS=5V、ID=1A --- 2.4 --- S
Rg ゲートの抵抗 VDS=0V、VGS=0V、f=1MHz --- 2.8 5.6  
Qg 総ゲート充満(10V)   --- 9.7 13.6  
Qgs ゲート源充満 --- 1.6 2.2
Qgd ゲート下水管充満 --- 1.7 2.4
Td () 遅れ時間回転

 

VDD=50V、VGS=10V、

RG=3.3

ID=1A

--- 1.6 3.2

 

ns

Tr        
Td () 回転遅れ時間 --- 13.6 27
Tf 落下時間 --- 19 38
Ciss 入力キャパシタンス   --- 508 711  
Coss 出力キャパシタンス --- 29 41
Crss 逆の移動キャパシタンス --- 16.4 23
あります 連続的なソース電流1,4 VG=VD=0Vの力の流れ --- --- 1.2 A
主義 脈打ったソース電流2,4 --- --- 5 A
VSD ダイオードはVoltage2を進めます VGS=0V、IS=1A、TJ=25℃ --- --- 1.2 V
trr 逆の回復時間 IF=1A、dI/dt=100A/µs、 --- 14 --- nS
Qrr 逆の回復充満 --- 9.3 --- NC
記号 変数 条件 最少。 Typ。 最高。 単位
BVDSS 下水管源の絶縁破壊電圧 VGS=0V、ID=250uA 100 --- --- V
△ BVDSS/△TJ BVDSSの温度係数 25℃、ID=1mAへの参照 --- 0.067 --- V/℃
RDS () 静的な下水管源のオン抵抗 VGS=10V、I D=1A --- 260 310

 

VGS=4.5V、I D=0.5A --- 270 320
VGS (Th) ゲートの境界の電圧 VGS=VDS、I =250UA 1.0 1.5 2.5 V
△VGS (Th) VGS (Th)の温度係数   --- -4.2 --- mV/℃
IDSS 下水管源の漏出流れ VDS=80V、VGS=0V、TJ=25℃ --- --- 1 uA
IDSS 下水管源の漏出流れ VDS=80V、VGS=0V、TJ=25℃ --- --- 5 uA
IGSS ゲート源の漏出流れ VGS=±20V、VDS=0V --- --- ±100 nA
gfs 前方相互コンダクタンス VDS=5V、ID=1A --- 2.4 --- S
Rg ゲートの抵抗 VDS=0V、VGS=0V、f=1MHz --- 2.8 5.6  
Qg 総ゲート充満(10V)   --- 9.7 13.6  
Qgs ゲート源充満 --- 1.6 2.2
Qgd ゲート下水管充満 --- 1.7 2.4
Td () 遅れ時間回転

 

VDD=50V、VGS=10V、

RG=3.3

ID=1A

--- 1.6 3.2

 

ns

Tr        
Td () 回転遅れ時間 --- 13.6 27
Tf 落下時間 --- 19 38
Ciss 入力キャパシタンス   --- 508 711  
Coss 出力キャパシタンス --- 29 41
Crss 逆の移動キャパシタンス --- 16.4 23
あります 連続的なソース電流1,4 VG=VD=0Vの力の流れ --- --- 1.2 A
主義 脈打ったソース電流2,4 --- --- 5 A
VSD ダイオードはVoltage2を進めます VGS=0V、IS=1A、TJ=25℃ --- --- 1.2 V
trr 逆の回復時間 IF=1A、dI/dt=100A/µs、 --- 14 --- nS
Qrr 逆の回復充満 --- 9.3 --- NC

 

注:

1.Theデータは2OZ銅を持つ1インチFR-4板に取付けられた表面によってテストしました。2.Theデータは、脈拍幅≦300us脈打つによっての使用率≦2%テストしました

3.The電力損失は150の℃の接合部温度によって限られます

 

4。データは論理上IDそしてIDMが、実質の適用で全体の電力損失によって、限られるべきである同じです。

強化モードNチャネルMosfet力トランジスター低電圧100V 0

 

 

記号

ミリメートルの次元
最少。 MAX.
A 0.900 1.150
A1 0.000 0.100
A2 0.900 1.050
b 0.300 0.500
c 0.080 0.150
D 2.800 3.000
E 1.200 1.400
E1 2.250 2.550
e 0.950TYP
e1 1.800 2.000
L 0.550REF
L1 0.300 0.500
θ

 

注意

 

ここに記述されているか、または含まれている1つに、ありとあらゆるAPMのマイクロエレクトロニクス プロダクトに生命維持システム、航空機制御システム、または失敗が適度に深刻で物理的なおよび/または物質的損害で起因すると期待することができる他の適用のような信頼性の非常にハイ レベルを、必要とする適用を扱うことができる指定がありません。そのような適用にここに記述されているか、または含まれているAPMのマイクロエレクトロニクス プロダクトを使用する前にあなたのAPMのマイクロエレクトロニクスの代表的な最も近いと相談して下さい。

2つのAPMのマイクロエレクトロニクスは、ここに記述されているか、または含まれているありとあらゆるAPMのマイクロエレクトロニクス プロダクトの製品仕様書にリストされている評価される価値を(最高の評価のような、作動条件は、または他の変数及びます)瞬間的に超過する価値でプロダクトを使用することに起因する設備故障の責任を引き受けません。

3つのありとあらゆるAPMのマイクロエレクトロニクス プロダクトの指定は独立国家でここに記述するか、またはinstipulateを記述されていたプロダクトの性能、特徴および機能含み、顧客のプロダクトか装置に取付けられるように記述されていたプロダクトの性能、特徴および機能の保証ではないです。独立した装置で評価することができない状態および徴候を確認するためには顧客は顧客のプロダクトか装置に取付けられる装置を常に評価し、テストするべきです。

4つのAPMのマイクロエレクトロニクスの半導体CO.、株式会社は良質の高い信頼性プロダクトを供給するように努力します。但し、ありとあらゆる半導体製品は確率と失敗します。これらの確率的な失敗が煙か火をもたらすことができるか、または他の特性への損害を与えることができる危険にさらすことができる人命でき事か事故をもたらすことができることは可能です。Whendesigning装置は、これらの種類の事故またはでき事が行われることができないように安全処置を採用します。そのような手段は含んでいますが、安全な設計、冗長設計および構造設計のための保護回線そして間違い防止回路に限られません。

ここに記述されているか、または含まれている一部またはすべてのAPMのマイクロエレクトロニクス プロダクトが(を含む技術的なデータ、サービス)適当なローカル エクスポート制御の法律および規則の何れかの下で管理されていれば5つは、上記の法律に従ってかかわっている権限から輸出許可を得ないで、そのようなプロダクト輸出されてはなりません。

6つはあらゆる形態で、この出版物の部分または決して、または別の方法で写真複写し、記録するか、またはAPMのマイクロエレクトロニクスの半導体CO.の前の許可書なしで情報蓄積または検索システムを含んで、電子か機械、株式会社再生されるか、または送信されないかもしれません。

7つの情報は(を含む回路図および回路変数)例えばここにありますただ;それは大量生産のために保証されません。APMのマイクロエレクトロニクスはここの情報が正確、信頼できるが、保証が第三者の知的財産権または他の権利の使用か侵害に関してなされないし、意味されないことを信じます。

ここに記述されているか、または含まれている8つ、ありとあらゆる情報はプロダクト/技術の改善、等による変更に応じて予告なしにあります。装置を設計した場合、あなたが使用するように意図するAPMのマイクロエレクトロニクス プロダクトのための「配達指定」を参照して下さい。

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