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元の補足力トランジスター/電界効果トランジスタAP5N10LI

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元の補足力トランジスター/電界効果トランジスタAP5N10LI

元の補足力トランジスター/電界効果トランジスタAP5N10LI
元の補足力トランジスター/電界効果トランジスタAP5N10LI 元の補足力トランジスター/電界効果トランジスタAP5N10LI 元の補足力トランジスター/電界効果トランジスタAP5N10LI

大画像 :  元の補足力トランジスター/電界効果トランジスタAP5N10LI

商品の詳細:
起源の場所: 深セン中国
ブランド名: Hua Xuan Yang
証明: RoHS、SGS
モデル番号: AP5N10LI
お支払配送条件:
最小注文数量: ネゴシエーション
価格: Negotiated
パッケージの詳細: 囲まれる
受渡し時間: 1 - 2 週
支払条件: L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力: 1日あたりの18,000,000PCS/

元の補足力トランジスター/電界効果トランジスタAP5N10LI

説明
製品名: 補足力トランジスター 型番: AP5N10LI
印が付いていること: MA6S パック: SOT23
VDSDrain源の電圧: 100V VGSGate-Souのrceの電圧: ±20A
ハイライト:

nチャネルmosfetのトランジスター

,

高圧トランジスター

元の補足力トランジスター/電界効果トランジスタAP5N10LI

 

補足力トランジスター記述

 

AP5N10LIは優秀なR DS ()、4.5V低いゲートの電圧の低いゲート充満および操作を提供するのに高度の堀の技術を使用します。この装置は電池の保護としてまたは他の切換えの適用で使用のために適しています。

 

補足力トランジスター特徴

 

VDS= 100V I D = 5A

 

RDS () < 140m="">

電池の保護

 

負荷スイッチ

無停電電源装置

 

パッケージの印および発注情報

 

プロダクトID パック 印が付いていること Qty (PCS)
AP5N10LI SOT23-6 MA6S 3000

 

通知がなければTj=25℃の絶対最高評価

 

変数 記号 価値 単位
源の電圧を流出させて下さい VDS 100 V
ゲート源電圧 VGS ±20 V
連続的な下水管の流れ、TC=25 ℃ ID 5 A
脈打った下水管の流れ、TC =25の℃ IDの脈拍 15 A
電力損失、T C=25の℃

P

D

17 W
脈打ったなだれエネルギー5)を選抜して下さい EAS 1.2 mJ
操作および保管温度 Tstg、Tj -55から150
熱抵抗、接続点場合 RθJC 7.4 ℃/W
熱抵抗、接続点ambient4) RθJA 62 ℃/W

 

T AP5N10LI 100V Nチャネルの強化モードMOSFET j=25の℃の電気特徴他に特に規定がなければ

 

記号 変数 テスト条件 最少。 Typ。 最高。 単位
BVDSS 下水管源の絶縁破壊電圧 V =0 VのID=250 μA 100     V
VGS (Th) ゲートの境界の電圧 V =V、ID=250 μA 1.2 1.5 2.5 V
RDS () 下水管源のオン州の抵抗 VGS=10 V、ID=5 A   110 140
RDS () 下水管源のオン州の抵抗 V =4.5 V、ID=3 A   160 180

 

IGSS

 

ゲート源の漏出流れ

V =20 V     100

 

nA

V =-20 V     -100
IDSS 下水管源の漏出流れ VDS=100 V、VGS=0 V     1 uA
Ciss 入力キャパシタンス V =0 V、   206.1   pF
Coss 出力キャパシタンス   28.9   pF
Crss 逆の移動キャパシタンス   1.4   pF
td () 遅れ時間回転

VGS=10 V、

VDS=50 V、

  14.7   ns
tr 上昇時間   3.5   ns
td () 回転遅れ時間   20.9   ns

t

f

落下時間   2.7   ns
Qg 総ゲート充満     4.3   NC
Qgs ゲート源充満   1.5   NC
Qgd ゲート下水管充満   1.1   NC
Vplateau ゲートのプラトーの電圧   5.0   V
あります ダイオードは流れを進めます

 

VGS

    7

 

A

ISP 脈打ったソース電流     21
VSD ダイオード前方電圧 IS=7 A、VGS=0 V     1.0 V

t

rr

逆の回復時間     32.1   ns
Qrr 逆の回復充満   39.4   NC
Irrm ピーク逆回復流れ   2.1   A
記号 変数 テスト条件 最少。 Typ。 最高。 単位
BVDSS 下水管源の絶縁破壊電圧 V =0 VのID=250 μA 100     V
VGS (Th) ゲートの境界の電圧 V =V、ID=250 μA 1.2 1.5 2.5 V
RDS () 下水管源のオン州の抵抗 VGS=10 V、ID=5 A   110 140
RDS () 下水管源のオン州の抵抗 V =4.5 V、ID=3 A   160 180

 

IGSS

 

ゲート源の漏出流れ

V =20 V     100

 

nA

V =-20 V     -100
IDSS 下水管源の漏出流れ VDS=100 V、VGS=0 V     1 uA
Ciss 入力キャパシタンス V =0 V、   206.1   pF
Coss 出力キャパシタンス   28.9   pF
Crss 逆の移動キャパシタンス   1.4   pF
td () 遅れ時間回転

VGS=10 V、

VDS=50 V、

  14.7   ns
tr 上昇時間   3.5   ns
td () 回転遅れ時間   20.9   ns

t

f

落下時間   2.7   ns
Qg 総ゲート充満     4.3   NC
Qgs ゲート源充満   1.5   NC
Qgd ゲート下水管充満   1.1   NC
Vplateau ゲートのプラトーの電圧   5.0   V
あります ダイオードは流れを進めます

 

VGS

    7

 

A

ISP 脈打ったソース電流     21
VSD ダイオード前方電圧 IS=7 A、VGS=0 V     1.0 V

t

rr

逆の回復時間     32.1   ns
Qrr 逆の回復充満   39.4   NC
Irrm ピーク逆回復流れ   2.1   A

 

ノート

 

1) 最大許容接合部温度に基づく計算された連続的な流れ。

2) 反復的な評価;最高によって限られる脈拍幅。接合部温度。

3) Pdは最高に基づいています。接続点場合の熱抵抗を使用して接合部温度。

4) RθJAの価値は2ozの2 FR-4板に1に取付けられる装置によって測定されます。Tの静かな空気環境で、=25 °C. 5) VDD=50 V、RG=50 Ω、Tj=25 °C.を始めるL=0.3 mH銅張りにして下さい。

 

元の補足力トランジスター/電界効果トランジスタAP5N10LI 0

注意

 

ここに記述されているか、または含まれている1つに、ありとあらゆるAPMのマイクロエレクトロニクス プロダクトに生命維持システム、航空機制御システム、または失敗が適度に深刻で物理的なおよび/または物質的損害で起因すると期待することができる他の適用のような信頼性の非常にハイ レベルを、必要とする適用を扱うことができる指定がありません。そのような適用にここに記述されているか、または含まれているAPMのマイクロエレクトロニクス プロダクトを使用する前にあなたのAPMのマイクロエレクトロニクスの代表的な最も近いと相談して下さい。

2つのAPMのマイクロエレクトロニクスは、ここに記述されているか、または含まれているありとあらゆるAPMのマイクロエレクトロニクス プロダクトの製品仕様書にリストされている評価される価値を(最高の評価のような、作動条件は、または他の変数及びます)瞬間的に超過する価値でプロダクトを使用することに起因する設備故障の責任を引き受けません。

3つのありとあらゆるAPMのマイクロエレクトロニクス プロダクトの指定は独立国家でここに記述するか、またはinstipulateを記述されていたプロダクトの性能、特徴および機能含み、顧客のプロダクトか装置に取付けられるように記述されていたプロダクトの性能、特徴および機能の保証ではないです。独立した装置で評価することができない状態および徴候を確認するためには顧客は顧客のプロダクトか装置に取付けられる装置を常に評価し、テストするべきです。

4つのAPMのマイクロエレクトロニクスの半導体CO.、株式会社は良質の高い信頼性プロダクトを供給するように努力します。但し、ありとあらゆる半導体製品は確率と失敗します。これらの確率的な失敗が煙か火をもたらすことができるか、または他の特性への損害を与えることができる危険にさらすことができる人命でき事か事故をもたらすことができることは可能です。Whendesigning装置は、これらの種類の事故またはでき事が行われることができないように安全処置を採用します。そのような手段は含んでいますが、安全な設計、冗長設計および構造設計のための保護回線そして間違い防止回路に限られません。

ここに記述されているか、または含まれている一部またはすべてのAPMのマイクロエレクトロニクス プロダクトが(を含む技術的なデータ、サービス)適当なローカル エクスポート制御の法律および規則の何れかの下で管理されていれば5つは、上記の法律に従ってかかわっている権限から輸出許可を得ないで、そのようなプロダクト輸出されてはなりません。

6つはあらゆる形態で、この出版物の部分または決して、または別の方法で写真複写し、記録するか、またはAPMのマイクロエレクトロニクスの半導体CO.の前の許可書なしで情報蓄積または検索システムを含んで、電子か機械、株式会社再生されるか、または送信されないかもしれません。

7つの情報は(を含む回路図および回路変数)例えばここにありますただ;それは大量生産のために保証されません。APMのマイクロエレクトロニクスはここの情報が正確、信頼できるが、保証が第三者の知的財産権または他の権利の使用か侵害に関してなされないし、意味されないことを信じます。

、ここに記述されているか、または含まれているありとあらゆる情報はプロダクト/技術の改善、等による変更に応じて予告なしにあります。装置を設計した場合、あなたが使用するように意図するAPMのマイクロエレクトロニクス プロダクトのための「配達指定」を参照して下さい。

 

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コンタクトパーソン: David

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