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AP10H06S NチャネルMosの電界効果トランジスタの高周波

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AP10H06S NチャネルMosの電界効果トランジスタの高周波

AP10H06S NチャネルMosの電界効果トランジスタの高周波
AP10H06S NチャネルMosの電界効果トランジスタの高周波 AP10H06S NチャネルMosの電界効果トランジスタの高周波 AP10H06S NチャネルMosの電界効果トランジスタの高周波

大画像 :  AP10H06S NチャネルMosの電界効果トランジスタの高周波

商品の詳細:
起源の場所: 深セン中国
ブランド名: Hua Xuan Yang
証明: RoHS、SGS
モデル番号: AP10H06S
お支払配送条件:
最小注文数量: ネゴシエーション
価格: Negotiated
パッケージの詳細: 囲まれる
受渡し時間: 1 - 2 週
支払条件: L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力: 1日あたりの18,000,000PCS/

AP10H06S NチャネルMosの電界効果トランジスタの高周波

説明
製品名: NチャネルMosの電界効果トランジスタ モデル: AP10H06S
パック: SOP-8 印が付いていること: AP10H06S
VDSDrain源の電圧: 60V VGSGate-Souのrceの電圧: ±20A
ハイライト:

nチャネルmosfetのトランジスター

,

高圧トランジスター

AP10H06S NチャネルMosの電界効果トランジスタの高周波

 

NチャネルMosの電界効果トランジスタのタイプ

 

力のMOSFETsの全面的な競技場の中では、異なった製造業者によって開発され、演説されたいくつかの特定の技術があります。彼らは力のMOSFETsが流れを運び、パワー レベルをもっと効率的に扱うことを可能にするいくつかの異なった技術を使用します。既に述べられて彼らが頻繁に縦の形態を組み込むように構成して下さい

従って異なったタイプの力MOSFETに異なった属性があり、ある特定の適用に特に適することができます。

  • 平面力MOSFET:これは力MOSFETの基底形式です。それは抵抗がepi層の抵抗によって支配されるので高圧評価のためによいです。この構造は一般に高い細胞密度が必要なとき使用されます。
  • VMOS:VMOS力のずっとMOSFETsは利用できます長年にわたり。基本概念は流れの縦の流れを可能にするのにVの溝の構造を使用しまそれにより抵抗線およびよりよい切換えの特徴でより低く提供します。使用されていますが、それらは力の切換えのためにまた高周波小さいRFの電力増幅器に使用するかもしれません。
  • UMOS:力MOSFETのUMOS版はそれに類似した果樹園をVMOS FET使用します。但し果樹園にそれに平底があり、ある異なった利点を提供します。
  • HEXFET:力MOSFETのこの形態は現在の機能を提供するのに六角形の構造を使用します。
  • TrenchMOS:再度TrenchMOS力MOSFETは基本的なケイ素でよりよく処理の容量および特徴を提供するのに同じような基本的な果樹園か堀を使用します。特に、堀力のMOSFETsは抵抗のチャネル密度そしてそれ故により低いのために200ボルトの上の電圧のために主に使用されます。

 

NチャネルMosの電界効果トランジスタの特徴

 

VDS = 60V ID =10A
RDS () < 20m="">

 

NチャネルMosの電界効果トランジスタの塗布

 

電池の保護
負荷スイッチ
無停電電源装置

 

パッケージの印および発注情報

 

プロダクトID パック 印が付いていること Qty (PCS)
AP10H06S SOP-8 AP10H06S 3000

 

絶対最高評価(TC=25℃UNLESS OTHERWISE NOTED)

 

変数 記号 限界 単位
下水管源の電圧 VDS 60 V
ゲート源の電圧 VGS ±20 V
現在連続的流出させて下さい ID 10 A
現在連続的流出させて下さい(TC=100 ℃) ID (100 ℃) 5.6 A
脈打った下水管の流れ IDM 32 A
最高の電力損失 PD 2.1 W
作動の接続点および保管温度の範囲 T J、T STG -55から150
接続点に包囲された熱抵抗(ノート2) RθJA 60 ℃/W

 

電気特徴(TC=25℃UNLESS OTHERWISE NOTED)

 

変数 記号 条件 Typ 最高 単位
下水管源の絶縁破壊電圧 BV DSS V GS=0V ID=250μA 60   - V
ゼロ ゲートの電圧下水管の流れ IDSS V DS=60V、V GS=0V - - 1 μA
ゲート ボディ漏出流れ IGSS V GS=±20V、VDS=0V - - ±100 nA
ゲートの境界の電圧 V GS (Th) V DS=V GSのID=250 μA 1.0 1.6 2.2 V

 

下水管源のオン州の抵抗

 

RDS ()

V GS=10V、ID=8A - 15.6 20 mΩ
V GS=4.5V、ID=8A - 20 28 mΩ
前方相互コンダクタンス gFS V DS=5V、ID=8A 18 - - S
入力キャパシタンス Clss

 

V DS=30V、V GS=0V、F=1.0MHz

- 1600 - PF
出力キャパシタンス Coss - 112 - PF
逆の移動キャパシタンス Crss - 98 - PF
遅れ時間回転 td ()   - 7 - nS
上昇時間回転

r

t

- 5.5 - nS
回転遅れ時間 td () - 29 - nS
回転落下時間

f

t

- 4.5 - nS
総ゲート充満 Qg

 

V DS=30V、ID=8A、V GS=10V

- 38.5 - NC
ゲート源充満 Qgs - 4.7 - NC
ゲート下水管充満 Qgd - 10.3 - NC
ダイオード前方電圧(ノート3) V SD V GS=0V、IS=8A - - 1.2 V
ダイオードの前方流れ(ノート2) あります - - - 8 A
逆の回復時間

rr

t

TJ = 25°C、=8Aなら

di/dt = 100A/μs

- 28 - nS
逆の回復充満 Qrr - 40 - NC
変数 記号 条件 Typ 最高 単位
下水管源の絶縁破壊電圧 BV DSS V GS=0V ID=250μA 60   - V
ゼロ ゲートの電圧下水管の流れ IDSS V DS=60V、V GS=0V - - 1 μA
ゲート ボディ漏出流れ IGSS V GS=±20V、VDS=0V - - ±100 nA
ゲートの境界の電圧 V GS (Th) V DS=V GSのID=250 μA 1.0 1.6 2.2 V

 

下水管源のオン州の抵抗

 

RDS ()

V GS=10V、ID=8A - 15.6 20 mΩ
V GS=4.5V、ID=8A - 20 28 mΩ
前方相互コンダクタンス gFS V DS=5V、ID=8A 18 - - S
入力キャパシタンス Clss

 

V DS=30V、V GS=0V、F=1.0MHz

- 1600 - PF
出力キャパシタンス Coss - 112 - PF
逆の移動キャパシタンス Crss - 98 - PF
遅れ時間回転 td ()   - 7 - nS
上昇時間回転

r

t

- 5.5 - nS
回転遅れ時間 td () - 29 - nS
回転落下時間

f

t

- 4.5 - nS
総ゲート充満 Qg

 

V DS=30V、ID=8A、V GS=10V

- 38.5 - NC
ゲート源充満 Qgs - 4.7 - NC
ゲート下水管充満 Qgd - 10.3 - NC
ダイオード前方電圧(ノート3) V SD V GS=0V、IS=8A - - 1.2 V
ダイオードの前方流れ(ノート2) あります - - - 8 A
逆の回復時間

rr

t

TJ = 25°C、=8Aなら

di/dt = 100A/μs

- 28 - nS
逆の回復充満 Qrr - 40 - NC

 

ノート

 

1.反復的な評価:最高の接合部温度によって限られる脈拍幅。

2. FR4板に、tの≤ 10の秒取付けられる表面。

3. 脈拍テスト:脈拍幅の≤ 300のμs、使用率の≤ 2%。

4. 意図的に、ない生産に応じて保証される

 

注意

 

ここに記述されているか、または含まれている1つに、ありとあらゆるAPMのマイクロエレクトロニクス プロダクトに生命維持システム、航空機制御システム、または失敗が適度に深刻で物理的なおよび/または物質的損害で起因すると期待することができる他の適用のような信頼性の非常にハイ レベルを、必要とする適用を扱うことができる指定がありません。そのような適用にここに記述されているか、または含まれているAPMのマイクロエレクトロニクス プロダクトを使用する前にあなたのAPMのマイクロエレクトロニクスの代表的な最も近いと相談して下さい。

2つのAPMのマイクロエレクトロニクスは、ここに記述されているか、または含まれているありとあらゆるAPMのマイクロエレクトロニクス プロダクトの製品仕様書にリストされている評価される価値を(最高の評価のような、作動条件は、または他の変数及びます)瞬間的に超過する価値でプロダクトを使用することに起因する設備故障の責任を引き受けません。

3つのありとあらゆるAPMのマイクロエレクトロニクス プロダクトの指定は独立国家でここに記述するか、またはinstipulateを記述されていたプロダクトの性能、特徴および機能含み、顧客のプロダクトか装置に取付けられるように記述されていたプロダクトの性能、特徴および機能の保証ではないです。独立した装置で評価することができない状態および徴候を確認するためには顧客は顧客のプロダクトか装置に取付けられる装置を常に評価し、テストするべきです。

4つのAPMのマイクロエレクトロニクスの半導体CO.、株式会社は良質の高い信頼性プロダクトを供給するように努力します。但し、ありとあらゆる半導体製品は確率と失敗します。これらの確率的な失敗が煙か火をもたらすことができるか、または他の特性への損害を与えることができる危険にさらすことができる人命でき事か事故をもたらすことができることは可能です。Whendesigning装置は、これらの種類の事故またはでき事が行われることができないように安全処置を採用します。そのような手段は含んでいますが、安全な設計、冗長設計および構造設計のための保護回線そして間違い防止回路に限られません。

ここに記述されているか、または含まれている一部またはすべてのAPMのマイクロエレクトロニクス プロダクトが(を含む技術的なデータ、サービス)適当なローカル エクスポート制御の法律および規則の何れかの下で管理されていれば5つは、上記の法律に従ってかかわっている権限から輸出許可を得ないで、そのようなプロダクト輸出されてはなりません。

6つはあらゆる形態で、この出版物の部分または決して、または別の方法で写真複写し、記録するか、またはAPMのマイクロエレクトロニクスの半導体CO.の前の許可書なしで情報蓄積または検索システムを含んで、電子か機械、株式会社再生されるか、または送信されないかもしれません。

連絡先の詳細
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コンタクトパーソン: David

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