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商品の詳細:
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| 製品名: | Mosfet力トランジスター | モデル: | AP25N10X |
|---|---|---|---|
| パック: | SOP-8 | 印が付いていること: | AP25N10S XXX YYYY |
| VDSDrain源の電圧: | 100V | VGSGate-Souのrceの電圧: | ±20V |
| ハイライト: | nチャネルmosfetのトランジスター,高圧トランジスター |
||
AP25N10X Mosfet力トランジスター25A 100V TO-252 SOP-8 DC-DCコンバーター
Mosfet力トランジスター記述:
AP25N10Xの使用高度VDほとんどの技術への
低いRDS （）、低いゲート充満、速い切換えを提供して下さい
この装置は特によりよい険しさを得るように設計されています
そして使用すること適した
低いRDS （）及びFOM
極端に低い切換えの損失
優秀な安定性および均等性またはインバーター
Mosfet力トランジスター特徴
VDS =100V I D =25 A
RDS （） < 55m="">
RDS （） < 85m="">
Mosfet力トランジスター塗布
消費者電子電源の運動制御
同期改正によって隔離されるDC
同期改正の適用
パッケージの印および発注情報
| プロダクトID | パック | 印が付いていること | Qty （PCS） |
| AP25N10S | SOP-8 | AP25N10S XXX YYYY | 3000 |
| AP25N10D | TO-252-3 | AP25N10D XXX YYYY | 2500 |
絶対最高のRatings@Tj =25 C （他に特に規定がなければ）
| 記号 | 変数 | 評価 | 単位 |
| VDS | 下水管源の電圧 | 100 | V |
| VGS | ゲート源の電圧 | +20 | V |
| ID@TC =25℃ | 流れ、VGS @ 10Vを流出させて下さい | 25 | A |
| ID@TC =100℃ | 流れ、VGS @ 10Vを流出させて下さい | 15 | A |
| IDM | 脈打った下水管Current1 | 60 | A |
| PD@TC =25℃ | 全体の電力損失 | 44.6 | W |
| PD@TA =25℃ | 全体の電力損失 | 2 | W |
| T STG | 保管温度の範囲 | -55から150 | ℃ |
| T J | 作動の接合部温度の範囲 | -55から150 |
℃ |
| Rthj-c | 最高の熱抵抗、接続点場合 | 2.8 | ℃/W |
| Rthj-a |
接続点包囲された最高の熱抵抗 （PCBの台紙） |
62.5 | ℃/W |
電気Characteristics@Tj =25 C （他に特に規定がなければ）
| 記号 | 変数 | テスト条件 | 最少。 | Typ。 | 最高。 | 単位 |
| BVDSS | 下水管源の絶縁破壊電圧 | VGS =0V、ID =250UA | 100 | - | - | V |
| RDS （） |
オン静的な下水管源 Resistance2 |
VGS =10V、I =12A | - | - | 55 | mΩ |
| VGS =5V、ID =8A | - | - | 85 | mΩ | ||
| VGS （Th） | ゲートの境界の電圧 | VDS =VGS、ID =250UA | 0.9 | - | 2.5 | V |
| gfs | 前方相互コンダクタンス | VDS =10V、I =12A | - | 14 | - | S |
| IDSS | 下水管源の漏出流れ | VDS =80V、VGS =0V | - | - | 25 | uA |
| IGSS | ゲート源の漏出 | VGS = +20V、VDS =0V | - | - | +100 | nA |
| Qg | 総ゲートCharge2 | ID=12A | - | 13.5 | 21.6 | NC |
| Qgs | ゲート源充満 | - | 3 | - | NC | |
| Qgd | ゲート下水管（「ミラー」）充満 | - | 9 | - | NC | |
| td （） | 遅れTime2回転 | VDS =50V | - | 6.5 | - | ns |
| tr | 上昇時間 | - | 18 | - | ns | |
| td （） | 回転遅れ時間 | - | 20 | - | ns | |
| tf | 落下時間 | - | 5 | - | ns | |
| Ciss | 入力キャパシタンス |
VGS =0V VDS =25V |
- | 840 | 1340 | pF |
| Coss | 出力キャパシタンス | - | 115 | - | pF | |
| Crss | 逆の移動キャパシタンス | - | 80 | - | pF | |
| Rg | ゲートの抵抗 | f=1.0MHz | - | 1.6 | - | Ω |
| VSD | Voltage2で進めて下さい | IS=12A、VGS =0V | - | - | 1.3 | V |
| trr | 逆の回復Time2 |
IS=12A、VGS =0V dI/dt=100A/µs |
- | 40 | - | ns |
| Qrr | 逆の回復充満 | - | 70 | - | NC |
| 記号 | 変数 | テスト条件 | 最少。 | Typ。 | 最高。 | 単位 |
| BVDSS | 下水管源の絶縁破壊電圧 | VGS =0V、ID =250UA | 100 | - | - | V |
| RDS （） |
オン静的な下水管源 Resistance2 |
VGS =10V、I =12A | - | - | 55 | mΩ |
| VGS =5V、ID =8A | - | - | 85 | mΩ | ||
| VGS （Th） | ゲートの境界の電圧 | VDS =VGS、ID =250UA | 0.9 | - | 2.5 | V |
| gfs | 前方相互コンダクタンス | VDS =10V、I =12A | - | 14 | - | S |
| IDSS | 下水管源の漏出流れ | VDS =80V、VGS =0V | - | - | 25 | uA |
| IGSS | ゲート源の漏出 | VGS = +20V、VDS =0V | - | - | +100 | nA |
| Qg | 総ゲートCharge2 | ID=12A | - | 13.5 | 21.6 | NC |
| Qgs | ゲート源充満 | - | 3 | - | NC | |
| Qgd | ゲート下水管（「ミラー」）充満 | - | 9 | - | NC | |
| td （） | 遅れTime2回転 | VDS =50V | - | 6.5 | - | ns |
| tr | 上昇時間 | - | 18 | - | ns | |
| td （） | 回転遅れ時間 | - | 20 | - | ns | |
| tf | 落下時間 | - | 5 | - | ns | |
| Ciss | 入力キャパシタンス |
VGS =0V VDS =25V |
- | 840 | 1340 | pF |
| Coss | 出力キャパシタンス | - | 115 | - | pF | |
| Crss | 逆の移動キャパシタンス | - | 80 | - | pF | |
| Rg | ゲートの抵抗 | f=1.0MHz | - | 1.6 | - | Ω |
| VSD | Voltage2で進めて下さい | IS=12A、VGS =0V | - | - | 1.3 | V |
| trr | 逆の回復Time2 |
IS=12A、VGS =0V dI/dt=100A/µs |
- | 40 | - | ns |
| Qrr | 逆の回復充満 | - | 70 | - | NC |
注:
1. 最高によって限られる脈拍幅。接合部温度。2.Pulseテスト
1にinに取付けられる3.Surface
FR4板の2銅のパッド
注意
ここに記述されているか、または含まれている1つに、ありとあらゆるAPMのマイクロエレクトロニクス プロダクトに生命維持システム、航空機制御システム、または失敗が適度に深刻で物理的なおよび/または物質的損害で起因すると期待することができる他の適用のような信頼性の非常にハイ レベルを、必要とする適用を扱うことができる指定がありません。そのような適用にここに記述されているか、または含まれているAPMのマイクロエレクトロニクス プロダクトを使用する前にあなたのAPMのマイクロエレクトロニクスの代表的な最も近いと相談して下さい。
2つのAPMのマイクロエレクトロニクスは、ここに記述されているか、または含まれているありとあらゆるAPMのマイクロエレクトロニクス プロダクトの製品仕様書にリストされている評価される価値を（最高の評価のような、作動条件は、または他の変数及びます）瞬間的に超過する価値でプロダクトを使用することに起因する設備故障の責任を引き受けません。
3つのありとあらゆるAPMのマイクロエレクトロニクス プロダクトの指定は独立国家でここに記述するか、またはinstipulateを記述されていたプロダクトの性能、特徴および機能含み、顧客のプロダクトか装置に取付けられるように記述されていたプロダクトの性能、特徴および機能の保証ではないです。独立した装置で評価することができない状態および徴候を確認するためには顧客は顧客のプロダクトか装置に取付けられる装置を常に評価し、テストするべきです。
4つのAPMのマイクロエレクトロニクスの半導体CO.、株式会社は良質の高い信頼性プロダクトを供給するように努力します。但し、ありとあらゆる半導体製品は確率と失敗します。これらの確率的な失敗が煙か火をもたらすことができるか、または他の特性への損害を与えることができる危険にさらすことができる人命でき事か事故をもたらすことができることは可能です。Whendesigning装置は、これらの種類の事故またはでき事が行われることができないように安全処置を採用します。そのような手段は含んでいますが、安全な設計、冗長設計および構造設計のための保護回線そして間違い防止回路に限られません。
ここに記述されているか、または含まれている一部またはすべてのAPMのマイクロエレクトロニクス プロダクトが（を含む技術的なデータ、サービス）適当なローカル エクスポート制御の法律および規則の何れかの下で管理されていれば5つは、上記の法律に従ってかかわっている権限から輸出許可を得ないで、そのようなプロダクト輸出されてはなりません。
6つはあらゆる形態で、この出版物の部分または決して、または別の方法で写真複写し、記録するか、またはAPMのマイクロエレクトロニクスの半導体CO.の前の許可書なしで情報蓄積または検索システムを含んで、電子か機械、株式会社再生されるか、または送信されないかもしれません。
7つの情報は（を含む回路図および回路変数）例えばここにありますただ;それは大量生産のために保証されません。APMのマイクロエレクトロニクスはここの情報が正確、信頼できるが、保証が第三者の知的財産権または他の権利の使用か侵害に関してなされないし、意味されないことを信じます。
ここに記述されているか、または含まれている8つ、ありとあらゆる情報はプロダクト/技術の改善、等による変更に応じて予告なしにあります。装置を設計した場合、あなたが使用するように意図するAPMのマイクロエレクトロニクス プロダクトのための「配達指定」を参照して下さい。
コンタクトパーソン: David
