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TIP117高い現在のトランジスター、電源スイッチのトランジスター低い漏出

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中国 Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd 認証
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TIP117高い現在のトランジスター、電源スイッチのトランジスター低い漏出

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大画像 :  TIP117高い現在のトランジスター、電源スイッチのトランジスター低い漏出

商品の詳細:
起源の場所: 深セン中国
ブランド名: Hua Xuan Yang
証明: RoHS、SGS
モデル番号: TIP117
お支払配送条件:
最小注文数量: 1000-2000 PC
価格: Negotiated
パッケージの詳細: 囲まれる
受渡し時間: 1 - 2 週
支払条件: L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力: 1日あたりの18,000,000PCS/

TIP117高い現在のトランジスター、電源スイッチのトランジスター低い漏出

説明
タイプ: 半導体の三極管 力 Mosfet のトランジスター: 内部に閉じ込められるTO-220-3Lのプラスチック-
プロダクト ID: TIP117 フィーチャー: 高いDCの現在の利益
コレクター流れ: -2A コレクターの電力損失: 2w
ハイライト:

電子部品の三極管

,

半導体スイッチ

TO-220-3Lのプラスチック-内部に閉じ込められたトランジスターTIP117ダーリントン トランジスター(NPN)

 

 

特徴
  •  高いDCの現在の利益
  •  低いコレクター エミッターの飽和電圧
  • TIP112に補足
 

最高の評価(通知がなければTa=25℃)

 

記号 変数 価値 単位
VCBO コレクター基盤の電圧 -100 V
VCEO コレクター エミッターの電圧 -100 V
VEBO エミッター基盤の電圧 -5 V
IC コレクター流れ -2 A
PC コレクターの電力損失 2 W
RθJA 接続点からの包囲されたへの熱抵抗 63 ℃/W
Tj 接合部温度 150
Tstg 保管温度 -55~+150

 

 

 

電気特徴(Ta=25℃他に特に規定がなければ)

 

変数 記号 テスト条件 Typ 最高 単位
コレクター基盤の絶縁破壊電圧 V (BR) CBO IC=-1mA、すなわち=0 -100     V
コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 V (BR) CEO* IC=-30mA、IB=0 -100     V
エミッター基盤の絶縁破壊電圧 V (BR) EBO すなわち=-5MA、IC=0 -5     V
コレクタ遮断電流 ICBO VCB=-100V、すなわち=0     -1 mA
コレクタ遮断電流 ICEO VCE=-50V、IB=0     -2 mA
エミッターの締切りの流れ IEBO VEB=-5V、IC=0     -2 mA

 

DCの現在の利益

hFE (1) VCE=-4V、IC=-1A 1000   12000  
  hFE (2) VCE=-4V、IC=-2A 500      
コレクター エミッターの飽和電圧 VCE (坐る) IC=-2A、IB=-8mA     -2.5 V
基盤エミッターの電圧 VBE VCE=-4V、IC=-2A     -2.8 V
コレクターの出力キャパシタンス 穂軸 VCB=-10V、すなわち=0、f=0.1MHz     200 pF

 

 

TO-220-3Lのパッケージの輪郭次元

 

記号 ミリメートルの次元 インチの次元
  最高 最高
A 4.470 4.670 0.176 0.184
A1 2.520 2.820 0.099 0.111
b 0.710 0.910 0.028 0.036
b1 1.170 1.370 0.046 0.054
c 0.310 0.530 0.012 0.021
c1 1.170 1.370 0.046 0.054
D 10.010 10.310 0.394 0.406
E 8.500 8.900 0.335 0.350
E1 12.060 12.460 0.475 0.491
e 2.540 TYP 0.100 TYP
e1 4.980 5.180 0.196 0.204
F 2.590 2.890 0.102 0.114
h 0.000 0.300 0.000 0.012
L 13.400 13.800 0.528 0.543
L1 3.560 3.960 0.140 0.156
Φ 3.735 3.935 0.147 0.155

 

 

TO-220-3Lはプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターTIP42/42A/42B/42Cトランジスター(PNP)を

 

 


 

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