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FMMT491抵抗の高圧NPN力トランジスター低く等量

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中国 Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd 認証
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FMMT491抵抗の高圧NPN力トランジスター低く等量

FMMT491抵抗の高圧NPN力トランジスター低く等量
FMMT491抵抗の高圧NPN力トランジスター低く等量 FMMT491抵抗の高圧NPN力トランジスター低く等量

大画像 :  FMMT491抵抗の高圧NPN力トランジスター低く等量

商品の詳細:
起源の場所: 深セン中国
ブランド名: Hua Xuan Yang
証明: RoHS、SGS
モデル番号: FMMT491
お支払配送条件:
最小注文数量: 1000-2000 PC
価格: Negotiated
パッケージの詳細: 囲まれる
受渡し時間: 1 - 2 週
支払条件: L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力: 1日あたりの18,000,000PCS/

FMMT491抵抗の高圧NPN力トランジスター低く等量

説明
タイプ: ケイ素力トランジスター フィーチャー: 低い同等のオン抵抗
コレクター エミッターの電圧: 60V 保存温度: -55~+150℃
コレクターの電力損失: 250mW ピーク脈拍の流れ: 図2A
ハイライト:

高周波トランジスター

,

力mosfetのトランジスター

SOT-23はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターFMMT491トランジスター(NPN)を
 
 

特徴
 

低い同等のオン抵抗

 

FMMT491抵抗の高圧NPN力トランジスター低く等量 0

印が付いていること:491

 

 

 

最高の評価(通知がなければTa=25℃)
 

記号変数価値単位
VCBOコレクター基盤の電圧80V
VCEOコレクター エミッターの電圧60V
VEBOエミッター基盤の電圧5V
ICコレクター流れ1A
ICMピーク脈拍の流れ2A
PCコレクターの電力損失250MW
RΘJA接続点からの包囲されたへの熱抵抗500℃/W
Tj接合部温度150
Tstg保管温度-55~+150

 
 
 
電気特徴(Ta=25℃他に特に規定がなければ)
 

変数記号テスト条件Typ最高単位
コレクター基盤の絶縁破壊電圧V (BR) CBOIC=100μA、すなわち=080  V
コレクター エミッターの絶縁破壊電圧V (BR) CEO1IC=10mA、IB=060  V
エミッター基盤の絶縁破壊電圧V (BR) EBOすなわち=100ΜA、IC=05  V
コレクタ遮断電流ICBOVCB=60V、すなわち=0  0.1μA
エミッターの締切りの流れIEBOVEB=4V、IC=0  0.1μA

 
 
 

DCの現在の利益

hFE (1)VCE=5V、IC=1mA100   
 hFE (2) 1VCE=5V、IC=500mA100 300 
 hFE (3) 1VCE=5V、IC=1A80   
 hFE (4) 1VCE=5V、IC=2A30   

 

コレクター エミッターの飽和電圧

VCE (坐る) 1 1IC=500mA、IB=50mA  0.25V
 VCE (坐る) 2 1IC=1A、IB=100mA  0.5V
基盤エミッターの飽和電圧VBE (坐る) 1IC=1A、IB=100mA  1.1V
基盤エミッターの電圧

1

VBE

VCE=5V、IC=1A  1V
転移の頻度fTVCE=10V、IC=50mA、f=100MHz150  MHz
コレクターの出力キャパシタンス穂軸VCB=10V、f=1MHz  10pF

 
 
 

、脈拍width=300μs脈打った条件の下で測定されるの義務cycle≤2%。
 
 
 
典型的なCharacterisitics  
 
 
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FMMT491抵抗の高圧NPN力トランジスター低く等量 3
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 パッケージの輪郭次元
 

記号ミリメートルの次元インチの次元
 最高最高
A0.9001.1500.0350.045
A10.0000.1000.0000.004
A20.9001.0500.0350.041
b0.3000.5000.0120.020
c0.0800.1500.0030.006
D2.8003.0000.1100.118
E1.2001.4000.0470.055
E12.2502.5500.0890.100
e0.950 TYP0.037 TYP
e11.8002.0000.0710.079
L0.550 REF0.022 REF
L10.3000.5000.0120.020
θ

 
 
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