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商品の詳細:
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| コレクター基盤の電圧: | 400V | 接合部温度: | 150 ℃ |
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| Tstg: | -55~+150℃ | 材質: | シリコン |
| コレクター流れ: | 600 mA | コレクターの電力損失: | 500mW |
| ハイライト: | 電源スイッチのトランジスター,力mosfetのトランジスター |
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SOT-89-3Lはプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターA44トランジスター（NPN）を
低いコレクター エミッターの飽和電圧
高い絶縁破壊電圧
最高の評価（通知がなければTa=25℃）
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
| VCBO | コレクター基盤の電圧 | 400 | V |
| VCEO | コレクター エミッターの電圧 | 400 | V |
| VEBO | エミッター基盤の電圧 | 6 | V |
| IC | 連続的なコレクター流れ- | 200 | mA |
| ICM | 脈打つコレクター流れ- | 300 | mA |
| PC | コレクターの電力損失 | 500 | MW |
| RθJA | 接続点からの包囲されたへの熱抵抗 | 250 | ℃/W |
| Tj | 接合部温度 | 150 | ℃ |
| Tstg | 保管温度 | -55~+150 | ℃ |
電気特徴（Ta=25℃他に特に規定がなければ）
| 変数 | 記号 | T米国東部標準時刻の状態 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
| コレクター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） CBO | IC=100ΜA、すなわち=0 | 400 | V | ||
| コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | V （BR） CEO* | IC=1mA、IB=0 | 400 | V | ||
| エミッター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） EBO | すなわち=10ΜA、IC=0 | 6 | V | ||
| コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB=400V、すなわち=0 | 0.1 | µA | ||
| エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB=4V、IC=0 | 0.1 | µA | ||
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DCの現在の利益 |
hFE （1）* | VCE=10V、IC=1mA | 40 | |||
| hFE （2）* | VCE=10V、IC=10mA | 50 | 200 | |||
| hFE （3）* | VCE=10V、IC=50mA | 45 | ||||
| hFE （4）* | VCE=10V、IC=100mA | 40 | ||||
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コレクター エミッターの飽和電圧 |
VCE （坐る） * |
IC=1mA、IB=0.1mA | 0.4 | V | ||
| IC=10mA、IB=1mA | 0.5 | V | ||||
| IC=50mA、IB=5mA | 0.75 | V | ||||
| 基盤エミッターの飽和電圧 | VBE （坐る） * | IC=10mA、IB=1mA | 0.75 | V | ||
| コレクターの出力キャパシタンス | 穂軸 | VCB=20V、すなわち=0、f=1MHz | 7 | pF | ||
| エミッターの入力キャパシタンス | Cib | VBE=0.5V、IC=0、f=1MHz | 130 | pF |
典型的な特徴
パッケージの輪郭次元
| 記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
| 分 | 最高 | 分 | 最高 | |
| A | 1.400 | 1.600 | 0.055 | 0.063 |
| b | 0.320 | 0.520 | 0.013 | 0.020 |
| b1 | 0.400 | 0.580 | 0.016 | 0.023 |
| c | 0.350 | 0.440 | 0.014 | 0.017 |
| D | 4.400 | 4.600 | 0.173 | 0.181 |
| D1 | 1.550参考。 | 0.061参考。 | ||
| E | 2.300 | 2.600 | 0.091 | 0.102 |
| E1 | 3.940 | 4.250 | 0.155 | 0.167 |
| e | 1.500 TYP。 | 0.060 TYP。 | ||
| e1 | 3.000 TYP。 | 0.118 TYP。 | ||
| L | 0.900 | 1.200 | 0.035 | 0.047 |
SOT-89-3Lによって提案されるパッドのレイアウト
SOT-89-3Lのテープおよび巻き枠
コンタクトパーソン: David
