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PNPの先端力トランジスターTO-251-3Lプラスチックによって内部に閉じ込められるB772低速切換え

認証
中国 Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd 認証
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PNPの先端力トランジスターTO-251-3Lプラスチックによって内部に閉じ込められるB772低速切換え

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PNPの先端力トランジスターTO-251-3Lプラスチックによって内部に閉じ込められるB772低速切換え

大画像 :  PNPの先端力トランジスターTO-251-3Lプラスチックによって内部に閉じ込められるB772低速切換え

商品の詳細:
起源の場所: 深セン中国
ブランド名: Hua Xuan Yang
証明: RoHS、SGS
モデル番号: B772
お支払配送条件:
最小注文数量: 1000-2000 PC
価格: Negotiated
パッケージの詳細: 囲まれる
受渡し時間: 1 - 2 週
支払条件: L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力: 1日あたりの18,000,000PCS/

PNPの先端力トランジスターTO-251-3Lプラスチックによって内部に閉じ込められるB772低速切換え

説明
コレクター基盤のVoltageCollector基盤の電圧: 40V コレクター エミッターの電圧: 30V
エミッター基盤の電圧: -6V 製品名: 半導体の三極管のタイプ
して、TJ: 150 ℃ タイプ: 三極管のトランジスター
ハイライト:

先端のpnpのトランジスター

,

先端シリーズ トランジスター

TO-126によってプラスチック内部に閉じ込められるトランジスターB772トランジスター(PNP)

 

 

特徴
 


低速切換え
 

 

 

最高の評価(通知がなければT =25 Š)
 

記号変数価値単位
VCBOコレクター基盤の電圧-40V
VCEOコレクター エミッターの電圧-30V
VEBOエミッター基盤の電圧-6V
IC連続的なコレクター流れ--3A
PCコレクターの電力損失1.25W
RӨJA熱抵抗、包囲されたへの接続点100℃/W
Tj接合部温度150
Tstg保管温度-55-150

 
 
 

 


電気特徴

 

 

Ta =25 Š他に特に規定がなければ

変数記号テスト条件Typ最高単位
コレクター基盤の絶縁破壊電圧V (BR) CBOIC=-100μA、すなわち=0-40  V
コレクター エミッターの絶縁破壊電圧V (BR) CEOIC= -10MA、IB=0-30  V
エミッター基盤の絶縁破壊電圧V (BR) EBOすなわち= -100ΜA、IC=0-6  V
コレクタ遮断電流ICBOVCB= -40V、すなわち=0  -1μA
コレクタ遮断電流ICEOVCE=-30V、IB=0  -10μA
エミッターの締切りの流れIEBOVEB=-6V、IC=0  -1μA
DCの現在の利益hFEVCE= -2V、IC= -1A60 400 
コレクター エミッターの飽和電圧VCE (坐る)IC=-2A、IB= -0.2A  -0.5V
基盤エミッターの飽和電圧VBE (坐る)IC=-2A、IB= -0.2A  -1.5V

 

転移の頻度

fT

VCE= -5V、IC=-0.1A

f =10MHz

 

50

 

80

 

 

MHz

 
  

hFE(2)の分類

ランクROYGR
範囲60-120100-200160-320200-400

 
 
 

 パッケージの輪郭次元
 

記号ミリメートルの次元インチの次元
 最高最高
A3.3003.7000.1300.146
A11.1001.4000.0430.055
b0.3800.5500.0150.022
c0.3600.5100.0140.020
D4.3004.7000.1690.185
D13.430 0.135 
E4.3004.7000.1690.185
e1.270 TYP0.050 TYP
e12.4402.6400.0960.104
L14.10014.5000.5550.571
0 1.600 0.063
h0.0000.3800.0000.015

 
 
PNPの先端力トランジスターTO-251-3Lプラスチックによって内部に閉じ込められるB772低速切換え 0
 
 

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コンタクトパーソン: David

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