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商品の詳細:
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| パソコン: | 1.25W | 接合部温度: | 150 ℃ |
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| 保存温度: | -55-150℃ | 力 Mosfet のトランジスター: | TO-251-3Lはプラスチック内部に閉じ込めます |
| 材質: | シリコン | タイプ: | 三極管のトランジスター |
| ハイライト: | 先端のpnpのトランジスター,高い発電のpnpのトランジスター |
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TO-251-3Lはプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターD882トランジスター（NPN）を
電力損失
最高の評価（通知がなければT =25 Š）
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
| VCBO | コレクター基盤の電圧 | 40 | V |
| VCEO | コレクター エミッターの電圧 | 30 | V |
| VEBO | エミッター基盤の電圧 | 6 | V |
| IC | 連続的なコレクター流れ- | 3 | A |
| PC | コレクターの電力損失 | 1.25 | W |
| TJ | 接合部温度 | 150 | ℃ |
| Tstg | 保管温度 | -55-150 | ℃ |
Ta =25 Š他に特に規定がなければ
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
| コレクター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） CBO | IC = 100μA、すなわち=0 | 40 | V | ||
| コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | V （BR） CEO | IC = 10mA、IB=0 | 30 | V | ||
| エミッター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） EBO | すなわち= 100μA、IC=0 | 6 | V | ||
| コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB= 40 V、すなわち=0 | 1 | µA | ||
| コレクタ遮断電流 | ICEO | VCE= 30 V、IB=0 | 10 | µA | ||
| エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB= 6 V、IC=0 | 1 | µA | ||
| DCの現在の利益 | hFE | VCE= 2 V、IC= 1A | 60 | 400 | ||
| コレクター エミッターの飽和電圧 | VCE （坐る） | IC= 2A、IB= 0.2 A | 0.5 | V | ||
| 基盤エミッターの飽和電圧 | VBE （坐る） | IC= 2A、IB= 0.2 A | 1.5 | V | ||
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転移の頻度 |
fT |
VCE= 5V、IC=0.1A f =10MHz |
90 |
MHz |
| ランク | R | O | Y | GR |
| 範囲 | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
典型的な特徴
コンタクトパーソン: David
