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商品の詳細:
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| VCBO: | -40v | VCEO: | -30V |
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| 保存温度: | -55-150℃ | 力 Mosfet のトランジスター: | TO-251-3Lはプラスチック内部に閉じ込めます |
| 材質: | シリコン | タイプ: | 三極管のトランジスター |
| ハイライト: | 先端シリーズ トランジスター,高い発電のpnpのトランジスター |
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TO-251-3Lはプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターB772Mトランジスター（PNP）を
特徴
低速切換え
最高の評価（通知がなければT =25 Š）
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
| VCBO | コレクター基盤の電圧 | -40 | V |
| VCEO | コレクター エミッターの電圧 | -30 | V |
| VEBO | エミッター基盤の電圧 | -6 | V |
| IC | 連続的なコレクター流れ- | -3 | A |
| PC | コレクターの電力損失 | 1.25 | W |
| RӨJA | 熱抵抗、包囲されたへの接続点 | 100 | ℃/W |
| Tj | 接合部温度 | 150 | ℃ |
| Tstg | 保管温度 | -55-150 | ℃ |
Ta =25 Š他に特に規定がなければ
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
| コレクター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） CBO | IC=-100μA、すなわち=0 | -40 | V | ||
| コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | V （BR） CEO | IC= -10MA、IB=0 | -30 | V | ||
| エミッター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） EBO | すなわち= -100ΜA、IC=0 | -6 | V | ||
| コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB= -40V、すなわち=0 | -1 | μA | ||
| コレクタ遮断電流 | ICEO | VCE=-30V、IB=0 | -10 | μA | ||
| エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB=-6V、IC=0 | -1 | μA | ||
| DCの現在の利益 | hFE | VCE= -2V、IC= -1A | 60 | 400 | ||
| コレクター エミッターの飽和電圧 | VCE （坐る） | IC=-2A、IB= -0.2A | -0.5 | V | ||
| 基盤エミッターの飽和電圧 | VBE （坐る） | IC=-2A、IB= -0.2A | -1.5 | V | ||
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転移の頻度 |
fT |
VCE= -5V、IC=-0.1A f =10MHz |
50 |
80 |
MHz |
| ランク | R | O | Y | GR |
| 範囲 | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
典型的な特徴
| 記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
| 最少。 | 最高。 | 最少。 | 最高。 | |
| A | 2.200 | 2.380 | 0.087 | 0.094 |
| A1 | 0.000 | 0.100 | 0.000 | 0.004 |
| B | 0.800 | 1.400 | 0.031 | 0.055 |
| b | 0.710 | 0.810 | 0.028 | 0.032 |
| c | 0.460 | 0.560 | 0.018 | 0.022 |
| c1 | 0.460 | 0.560 | 0.018 | 0.022 |
| D | 6.500 | 6.700 | 0.256 | 0.264 |
| D1 | 5.130 | 5.460 | 0.202 | 0.215 |
| E | 6.000 | 6.200 | 0.236 | 0.244 |
| e | 2.286 TYP。 | 0.090 TYP。 | ||
| e1 | 4.327 | 4.727 | 0.170 | 0.186 |
| M | 1.778REF. | 0.070REF. | ||
| N | 0.762REF. | 0.018REF. | ||
| L | 9.800 | 10.400 | 0.386 | 0.409 |
| L1 | 2.9REF. | 0.114REF. | ||
| L2 | 1.400 | 1.700 | 0.055 | 0.067 |
| V | 4.830参考。 | 0.190参考。 | ||
| ĭ | 1.100 | 1.300 | 0.043 | 0.0±1 |
コンタクトパーソン: David
