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20G04S 40V Mosfet力トランジスターN+Pチャネルの強化モードMOSFET

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中国 Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd 認証
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顧客の検討
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20G04S 40V Mosfet力トランジスターN+Pチャネルの強化モードMOSFET

20G04S 40V Mosfet力トランジスターN+Pチャネルの強化モードMOSFET
20G04S 40V Mosfet力トランジスターN+Pチャネルの強化モードMOSFET

大画像 :  20G04S 40V Mosfet力トランジスターN+Pチャネルの強化モードMOSFET

商品の詳細:
起源の場所: 深セン中国
ブランド名: Hua Xuan Yang
証明: RoHS、SGS
モデル番号: 20G04S
お支払配送条件:
最小注文数量: 1000-2000 PC
価格: Negotiated
パッケージの詳細: 囲まれる
受渡し時間: 1 - 2 週
支払条件: L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力: 1日あたりの18,000,000PCS/

20G04S 40V Mosfet力トランジスターN+Pチャネルの強化モードMOSFET

説明
製品名: mosfet 力トランジスター タイプ: Mosfet のトランジスター
プロダクト ID: 20G04S VDS: 40V
特長: 表面の台紙のパッケージ VGS: ±20V
ハイライト:

nチャネルmosfetのトランジスター

,

高圧トランジスター

20G04S 40V N+Pチャネルの強化モードMOSFET

 

記述

20G04S使用高度の堀

優秀なRDS()および低いゲート充満を提供する技術。

補足のMOSFETsがaを形作るのに使用されるかもしれません

レベルは他のホストのための高い側面スイッチを、移し

適用

 

概要の特徴

Nチャネル

VDS =40V、ID =20A

RDS()< 35m=""> GS=10V

RDS()< 42m=""> GS=4.5V

Pチャネル

VDS =-40V、ID = -18A

RDS()<40m> GS=-10V

RDS()< 70m=""> GS=-4.5V

高い発電および現在の渡す機能

無鉛プロダクトは得られます

表面の台紙のパッケージ

 

適用

●力の切換えの適用

●の懸命に転換された高周波回路

●の無停電電源装置

 

 

パッケージの印および発注情報

 

20G04S 40V Mosfet力トランジスターN+Pチャネルの強化モードMOSFET 0

絶対最高評価(通知がなければTC=25℃)
 
20G04S 40V Mosfet力トランジスターN+Pチャネルの強化モードMOSFET 1
N-CHの電気特徴(通知がなければTA=25℃)

 

20G04S 40V Mosfet力トランジスターN+Pチャネルの強化モードMOSFET 2

 

 

P-CHの電気特徴(通知がなければTA=25℃)
 
20G04S 40V Mosfet力トランジスターN+Pチャネルの強化モードMOSFET 3
 
注:
1. 反復的な評価:最高の接合部温度によって限られる脈拍幅。
2. FR4板に、tの≤ 10の秒取付けられる表面。
3. 脈拍テスト:脈拍幅の≤ 300μsの使用率の≤ 2%。
4. 意図的に、ない生産に応じて保証される
 
Nチャネルの典型的な特徴
 
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Pチャネルの典型的な特徴
 
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連絡先の詳細
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

コンタクトパーソン: David

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