商品の詳細:
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型式番号:: | AP1332GEU-HF | タイプ:: | 電子部品 |
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ダイオード:: | トランジスター | IGBTモジュール:: | 高周波管 |
誘導器:: | LED | D/C:: | 最も新しい |
ハイライト: | 2.5A Mosfet力トランジスター,0.35W Mosfet力トランジスター,AP1332GEU-HFのダイオードMosfetのトランジスター |
安い工場価格によってAP1332GEU-HFは同じ日にビジネスが、ある勝つ接触する
記述
AP1332シリーズは高度力から革新した設計およびケイ素の加工技術最も低く可能なオン抵抗および速い転換の性能を実現するある。それは力の適用の広い範囲の使用に極度で有効な装置をデザイナーに与える。
注:
最高によって限られる1.Pulse幅。接合部温度。
2.Pulseテスト。
3.SurfaceはFR4板に、tの≦ 10の秒取付けた。
絶対最高のRatings@Tj =25.oC (他に特に規定がなければ)
記号 | 変数 | 評価 | 単位 |
VDS | 下水管源の電圧 | 20 | V |
VGS | ゲート源の電圧 | +8 | V |
ID@TA =25℃ | 流れ3、VGS @ 4.5Vを流出させなさい | 600 | mA |
ID@TA =70℃ | 流れ3、VGS @ 4.5Vを流出させなさい | 470 | mA |
IDM | 脈打った下水管の流れ1 | 2.5 | |
PD@TA =25℃ | 全体の電力損失 | 0.35 | W |
TSTG | 保管温度の範囲 | -55から150 | ℃ |
TJ | 作動の接合部温度の範囲 | -55から150 | ℃ |
熱データ
記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
Rthj-a | 最高の熱抵抗、接続点包囲された3 | 360 | ℃/W |
AP1332GEU-H
電気Characteristics@Tj =25oC (他に特に規定がなければ)
記号 | 変数 | テスト条件 | Min. | タイプ。 | 最高。 | 単位 |
BVDSS | 下水管源の絶縁破壊電圧 | VGS =0V、ID =250UA | 20 | - | - | V |
RDS () | 静的な下水管源のオン抵抗2 | VGS =4.5V、ID =600MA | - | - | 0.6 | Ω |
VGS =2.5V、ID =300MA | - | - | 2 | Ω | ||
VGS (Th) | ゲートの境界の電圧 | VDS =VGS、ID =250UA | 0.5 | - | 1.25 | V |
gfs | 前方相互コンダクタンス | VDS =5V、ID =600MA | - | 1 | - | S |
IDSS | 下水管源の漏出流れ | VDS =16V、VGS =0V | - | - | 10 | uA |
IGSS | ゲート源の漏出 | VGS =+8V、VDS =0V | - | - | +30 | uA |
Qg | 総ゲート充満 |
ID =600MA VDS =16V VGS =4.5V |
- | 1.3 | 2 | NC |
Qgs | ゲート源充満 | - | 0.3 | - | NC | |
Qgd | ゲート下水管(「ミラー」)充満 | - | 0.5 | - | NC | |
td () | Turn-on遅れ時間 |
VDS =10V ID =600MA RG =3.3Ω VGS =5V |
- | 21 | - | ns |
tr | 上昇時間 | - | 53 | - | ns | |
td () | Turn-off遅れ時間 | - | 100 | - | ns | |
tf | 落下時間 | - | 125 | - | ns | |
Ciss | 入れられたキャパシタンス |
VGS =0V V.DS=10V f=1.0MHz |
- | 38 | 60 | pF |
Coss | 出力キャパシタンス | - | 17 | - | pF | |
Crss | 逆の移動キャパシタンス | - | 12 | - | pF |
源下水管のダイオード
記号 | 変数 | テスト条件 | Min. | タイプ。 | 最高。 | 単位 |
VSD | 電圧2で進めなさい | =300MA、VGS =0Vはある | - | - | 1.2 | V |
[船積み]
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コンタクトパーソン: David