中国 先端力トランジスター

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  PNPの先端力トランジスターTO-251-3Lプラスチックによって内部に閉じ込められるB772低速切換え

  コレクター基盤のVoltageCollector基盤の電圧:40V

  コレクター エミッターの電圧:30V

  エミッター基盤の電圧:-6V

  接触
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  B772高い発電PNPのトランジスター スイッチ、先端PNPのトランジスター回路

  コレクターの電力損失:1.25W

  VCEO:-30V

  VEBO:-6V

  接触
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  MJE13003先端力トランジスターNPNケイ素の物質的な三極管のトランジスター タイプ

  タイプ:三極管のトランジスター

  材質:シリコン

  力 Mosfet のトランジスター:TO-126はプラスチック内部に閉じ込めます

  接触
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  D882 NPNのトランジスター回路、NPN力トランジスター コレクターのエミッターの電圧30v

  コレクター基盤のVoltageCollector基盤の電圧:40V

  コレクター エミッターの電圧:30V

  エミッター基盤の電圧:6v

  接触
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  A733 PNPの先端力トランジスターTO-92プラスチック-トランジスターを内部に閉じ込めて下さい

  VCBO:-60V

  VCEO:-50V

  VEBO:-5V

  接触
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  3DD13005 Npnのトランジスター スイッチ エミッターの基礎電圧9V高性能

  コレクター基盤の電圧:700V

  接合部温度:150 ℃

  エミッター基盤の電圧:9 v

  接触
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  1.25W NPN D882の先端力トランジスターTO-251-3Lプラスチック-内部に閉じ込められたトランジスター

  パソコン:1.25W

  接合部温度:150 ℃

  保存温度:-55-150℃

  接触
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  B772先端シリーズ トランジスター表面の台紙の高い細胞密度の保管温度-55-150

  連続的なコレクター流れ-:図3A

  VCEO:30V

  VCBO:40V

  接触
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  3DD13005HD55先端力トランジスターVCBO 600V半導体の三極管のタイプ

  コレクターの電力損失:1.5Wの

  接合部温度:150 ℃

  VCBO:600v

  接触
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  D882S NPNの先端力トランジスターTO-92プラスチックによって内部に閉じ込められるトランジスター

  VCBO:40V

  VCEO:30V

  VEBO:6v

  接触
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  3DD13003 NPNのトランジスター回路、NPN力トランジスター コレクターのエミッターの電圧400V

  コレクター基盤の電圧:700V

  コレクター エミッターの電圧:400V

  連続的なコレクター流れ-:1.5A

  接触
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  TO-251-3Lの先端力トランジスターB772M PNP VCEO -30Vケイ素材料

  VCBO:-40v

  VCEO:-30V

  保存温度:-55-150℃

  接触