製品名:mosfet 力トランジスター
VDSS:20V
材質:シリコン
製品名:mosfet 力トランジスター
VDS:30V
RDS () < 35mΩ:(VGS = 4.5V)
製品名:mosfet 力トランジスター
接合部温度::150 ℃
材質:シリコン
製品名:mosfet 力トランジスター
VDS:30V
ID (VGS=10Vで):13A
製品名:mosfet 力トランジスター
RDS () (VGS=10Vで):< 24m="">
材質:シリコン
製品名:mosfet 力トランジスター
応用分野:高周波切換え
材質:シリコン
製品名:mosfet 力トランジスター
接合部温度::150 ℃
材質:シリコン
構造:縦の構造
V DSSの下水管源の電圧:-40 V
V GSSのゲート源の電圧:±20 V
製品名:mosfet 力トランジスター
V DSSの下水管源の電圧:-60 V
V GSSのゲート源の電圧:±20 V
製品名:Mosの電界効果トランジスタ
V DSSの下水管源の電圧:30ボルト
V GSSのゲート源の電圧:±20 V
製品名:mosfet 力トランジスター
V DSSの下水管源の電圧:30ボルト
V GSSのゲート源の電圧:±20 V
製品名:Mosの電界効果トランジスタ
V DSSの下水管源の電圧:60 ボルト
V GSSのゲート源の電圧:±25 V