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商品の詳細:
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| ハイライト: | 一般目的の三極管,半導体スイッチ |
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TO-220-3Lはプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターTIP42/42A/42B/42Cトランジスター（PNP）を
中型力の線形切換えの適用
TIP41/41A/41B/41Cへの補足物
最高の評価（通知がなければTa =25℃）
| 記号 | 変数 | TIP42 | TIP42A | TIP42B | TIP42C | 単位 |
| VCBO | コレクター基盤の電圧 | -40 | -60 | -80 | -100 | V |
| VCEO | コレクター エミッターの電圧 | -40 | -60 | -80 | -100 | V |
| VEBO | エミッター基盤の電圧 | -5 | V | |||
| IC | 連続的なコレクター流れ- | -6 | A | |||
| PC | コレクターの電力損失 | 2 | W | |||
| TJ | 接合部温度 | 150 | ℃ | |||
| Tstg | 保管温度の範囲 | -55to+150 | ℃ | |||
電気特徴（Ta=25℃他に特に規定がなければ）
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | 最高 | 単位 |
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コレクター基盤の絶縁破壊電圧TIP42 TIP42A TIP42B TIP42C |
V （BR） CBO |
IC= -1MA、すなわち=0 |
-40 -60 -80 -100 |
V |
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コレクター エミッターの絶縁破壊電圧TIP42 TIP42A TIP42B TIP42C |
V （BR） CEO* |
IC= -30MA、IB=0 |
-40 -60 -80 -100 |
V |
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| エミッター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） EBO | すなわち= -1MA、IC=0 | -5 | V | |
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コレクタ遮断電流TIP42 TIP42A TIP42B TIP42C |
ICBO |
VCB=-40V、すなわち=0 VCB=-60V、すなわち=0 VCB=-80V、すなわち=0 VCB=-100V、すなわち=0 |
-0.4 |
mA |
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| コレクタ遮断電流TIP42/42A TIP42B/42C | ICEO |
VCE= -30V、IB= 0 VCE= -60V、IB= 0 |
-0.7 | mA | |
| エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB=-5V、IC=0 | -1 | mA | |
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DCの現在の利益 |
hFE （1） | VCE=-4V、IC=-0.3A | 30 | ||
| hFE （2） | VCE=-4 V、IC= -3A | 15 | 75 | ||
| コレクター エミッターの飽和電圧 | VCE （坐る） | IC=-6A、IB=-0.6A | -1.5 | V | |
| 基盤エミッターの電圧 | VBE | VCE=-4V、IC=-6A | -2 | V | |
| 転移の頻度 | fT | VCE=-10V、IC=-0.5 | 3 | MHZ |
典型的なCharacterisitics
TIP42C
TO-220-3Lのパッケージの輪郭次元
| 記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
| 分 | 最高 | 分 | 最高 | |
| A | 4.470 | 4.670 | 0.176 | 0.184 |
| A1 | 2.520 | 2.820 | 0.099 | 0.111 |
| b | 0.710 | 0.910 | 0.028 | 0.036 |
| b1 | 1.170 | 1.370 | 0.046 | 0.054 |
| c | 0.310 | 0.530 | 0.012 | 0.021 |
| c1 | 1.170 | 1.370 | 0.046 | 0.054 |
| D | 10.010 | 10.310 | 0.394 | 0.406 |
| E | 8.500 | 8.900 | 0.335 | 0.350 |
| E1 | 12.060 | 12.460 | 0.475 | 0.491 |
| e | 2.540 TYP | 0.100 TYP | ||
| e1 | 4.980 | 5.180 | 0.196 | 0.204 |
| F | 2.590 | 2.890 | 0.102 | 0.114 |
| h | 0.000 | 0.300 | 0.000 | 0.012 |
| L | 13.400 | 13.800 | 0.528 | 0.543 |
| L1 | 3.560 | 3.960 | 0.140 | 0.156 |
| Φ | 3.735 | 3.935 | 0.147 | 0.155 |
コンタクトパーソン: David
