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商品の詳細:
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| コレクター基盤の電圧: | 40V | コレクターの電力損失: | ：.25 |
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| エミッター基盤の電圧: | 6v | 応用分野: | 移動式電源は運転者/運動制御を導きました |
| コレクター流れは脈打ちました: | -0.3A | ||
| ハイライト: | 高周波トランジスター,電源スイッチのトランジスター |
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SOT-89-3Lはプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターD882トランジスター（NPN）を
電力損失
最高の評価（通知がなければTa=25℃）
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
| VCBO | コレクター基盤の電圧 | 40 | V |
| VCEO | コレクター エミッターの電圧 | 30 | V |
| VEBO | エミッター基盤の電圧 | 6 | V |
| IC | 連続的なコレクター流れ- | 3 | A |
| PC | コレクターの電力損失 | 0.5 | W |
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RӨJA |
接続点からの包囲されたへの熱抵抗 |
250 |
℃/W |
| TJ | 接合部温度 | 150 | ℃ |
| Tstg | 保管温度 | -55~150 | ℃ |
電気特徴（Ta=25℃他に特に規定がなければ）
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
| コレクター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） CBO | IC = 100μA、すなわち=0 | 40 | V | ||
| コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | V （BR） CEO | IC = 10mA、IB=0 | 30 | V | ||
| エミッター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） EBO | すなわち= 100μA、IC=0 | 6 | V | ||
| コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB= 40V、すなわち=0 | 1 | µA | ||
| コレクタ遮断電流 | ICEO | VCE= 30V、IB=0 | 10 | µA | ||
| エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB= 6V、IC=0 | 1 | µA | ||
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DCの現在の利益 |
hFE （1） | VCE=2V、IC= 1A | 60 | 400 | ||
| hFE （2） | VCE=2V、IC= 100mA | 32 | ||||
| コレクター エミッターの飽和電圧 | VCE （坐る） | IC= 2A、IB= 0.2 A | 0.5 | V | ||
| 基盤エミッターの飽和電圧 | VBE （坐る） | IC= 2A、IB= 0.2 A | 1.5 | V | ||
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転移の頻度 |
fT |
VCE= 5V、Ic=0.1A f =10MHz |
50 |
MHz |
hFE（1）の分類
| ランク | R | O | Y | GR |
| 範囲 | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
典型的な特徴
パッケージの輪郭次元
| 記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
| 分 | 最高 | 分 | 最高 | |
| A | 1.400 | 1.600 | 0.055 | 0.063 |
| b | 0.320 | 0.520 | 0.013 | 0.020 |
| b1 | 0.400 | 0.580 | 0.016 | 0.023 |
| c | 0.350 | 0.440 | 0.014 | 0.017 |
| D | 4.400 | 4.600 | 0.173 | 0.181 |
| D1 | 1.550参考。 | 0.061参考。 | ||
| E | 2.300 | 2.600 | 0.091 | 0.102 |
| E1 | 3.940 | 4.250 | 0.155 | 0.167 |
| e | 1.500 TYP。 | 0.060 TYP。 | ||
| e1 | 3.000 TYP。 | 0.118 TYP。 | ||
| L | 0.900 | 1.200 | 0.035 | 0.047 |
SOT-89-3Lによって提案されるパッドのレイアウト
SOT-89-3Lのテープおよび巻き枠
コンタクトパーソン: David
