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商品の詳細:
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| コレクター基盤の電圧: | 40V | 連続的なコレクター流れ-: | 図5A |
|---|---|---|---|
| Tstg: | -55~+150℃ | 材質: | シリコン |
| コレクター流れ: | 600 mA | 保存温度: | -55~+150℃ |
| ハイライト: | 高周波トランジスター,電源スイッチのトランジスター |
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SOT-89-3Lはトランジスター2SD965A 2SD965Aをプラスチック内部に閉じ込めます
最高の評価（通知がなければTa=25℃）
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
| VCBO | コレクター基盤の電圧 | -60 | V |
| VCEO | コレクター エミッターの電圧 | -60 | V |
| VEBO | エミッター基盤の電圧 | -4 | V |
| IC | コレクター流れ | -500 | mA |
| PC | コレクターの電力損失 | 225 | MW |
| RΘJA | 接続点からの包囲されたへの熱抵抗 | 556 | ℃/W |
| Tj | 接合部温度 | 150 | ℃ |
| Tstg | 保管温度 | -55~+150 | ℃ |
電気特徴（Ta=25℃他に特に規定がなければ）
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
| コレクター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） CBO | IC=0.1mA、すなわち=0 | 40 | V | ||
| コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | V （BR） CEO | IC= 1mA。IB=0 | 30 | V | ||
| エミッター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） EBO | すなわち= 10μA、IC=0 | 7 | V | ||
| コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB= 10V、すなわち=0 | 0.1 | μA | ||
| エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB=7V、IC=0 | 0.1 | μA | ||
DCの現在の利益 | hFE （1） | VCE= 2 V、IC=1mA | 200 | |||
| hFE （2） | VCE= 2V、IC = 500mA | 230 | 800 | |||
| hFE （3） | VCE= 2V、IC =2A | 150 | ||||
| コレクター エミッターの飽和電圧 | VCE （坐る） | IC=3A、IB=0.1A | 1 | V | ||
| 転移の頻度 | fT | VCE=6V、IC=50mA | 150 | MHz | ||
| キャパシタンス | 穂軸 | VCB=20 V、すなわち=0、f=1MHZ | 50 | pF |
hFE（2）の分類
| ランク | Q | R | S |
| 範囲 | 230-380 | 340-600 | 560-800 |
パッケージの輪郭次元
| 記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
| 分 | 最高 | 分 | 最高 | |
| A | 0.900 | 1.150 | 0.035 | 0.045 |
| A1 | 0.000 | 0.100 | 0.000 | 0.004 |
| A2 | 0.900 | 1.050 | 0.035 | 0.041 |
| b | 0.300 | 0.500 | 0.012 | 0.020 |
| c | 0.080 | 0.150 | 0.003 | 0.006 |
| D | 2.800 | 3.000 | 0.110 | 0.118 |
| E | 1.200 | 1.400 | 0.047 | 0.055 |
| E1 | 2.250 | 2.550 | 0.089 | 0.100 |
| e | 0.950 TYP | 0.037 TYP | ||
| e1 | 1.800 | 2.000 | 0.071 | 0.079 |
| L | 0.550 REF | 0.022 REF | ||
| L1 | 0.300 | 0.500 | 0.012 | 0.020 |
| θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
SOT-89-3Lのテープおよび巻き枠
コンタクトパーソン: David
